[發明專利]半導體激光裝置及光裝置

無效

• 申請號: 201110284387.4
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN102468608A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 香月陽介;別所靖之
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋光學設計株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/02;H01S5/42
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種半導體激光裝置，其具備：

基臺；

沿著第一方向配置在所述基臺的上表面上的多個電極；

接合到所述多個電極各自的上表面上，且向與所述第一方向交叉的第二方向射出激光的多個半導體激光元件；

相對于所述多個半導體激光元件在與所述第二方向相反的所述基臺的第三方向側配置有受光面的受光元件，

所述多個電極中的配置在沿著所述第一方向及與所述第一方向相反的第四方向的端部以外的位置上的電極包括配置在所述受光元件的受光面上的引出用配線部分。

2.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述引出用配線部分配置在從所述半導體激光元件向所述第三方向射出的激光被所述受光元件的所述受光面接受的受光區域以外的所述受光面上。

3.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述引出用配線部分經由絕緣膜形成在所述受光元件的所述受光面上。

4.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

包括所述引出用配線部分的所述電極還包括供與所述電極對應的半導體激光元件接合的元件接合部分，

所述引出用配線部分具有第一部分，該第一部分以所述元件接合部分的所述第三方向側的端部中的、比所述半導體激光元件的沿所述第二方向延伸的第一中心線偏向在所述第一方向上相鄰的半導體激光元件側的位置為起點，在所述受光元件的受光面上向所述第三方向延伸。

5.根據權利要求4所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一部分以所述元件接合部分的所述第一方向的角部為起點而在所述受光元件的受光面上向所述第三方向延伸。

6.根據權利要求4所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一部分的至少一部分在中間線上向所述第三方向延伸，所述中間線沿著所述第一中心線與在所述第一方向上相鄰的半導體激光元件的沿所述第二方向延伸的第二中心線之間的中間位置延伸。

7.根據權利要求6所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一部分具有彎曲部，該彎曲部隨著從所述元件接合部分向所述第三方向延伸而在從所述第一中心線向所述第一方向側傾斜的方向上延伸，

所述彎曲部構成為連接所述元件接合部分與所述第一部分的在所述中間線上向所述第三方向延伸的部分。

8.根據權利要求4所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一部分配置在比所述第一中心線與在所述第一方向上相鄰的半導體激光元件的沿所述第二方向延伸的第二中心線之間的中間線偏向所述第一中心線側的位置上。

9.根據權利要求4所述的半導體激光裝置，其中，

所述引出用配線部分還具有以所述第一部分的所述第三方向側的端部為起點而沿著所述第一方向延伸的第二部分，

所述第二部分沿著以所述第一中心線為基準而所述第一部分所配置的所述第一方向在所述受光元件的受光面上延伸。

10.根據權利要求9所述的半導體激光裝置，其中，

所述第二部分配置在所述受光元件的所述第三方向側的緣部附近的所述受光面上。

11.根據權利要求10所述的半導體激光裝置，其中，

所述多個半導體激光元件分別含有活性層，

至少在配置在沿著所述第二方向而與所述第二部分對置的位置上的所述半導體激光元件中，接近所述活性層這一側的表面和與所述半導體激光元件對應的所述電極接合。

12.根據權利要求9所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一部分的所述第一方向上的寬度與所述第二部分的所述第二方向上的寬度大致相等。

13.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述受光元件的所述第一方向上的寬度比所述多個電極所配置的區域的所述第一方向上的寬度大，

所述受光元件對于所述多個半導體激光元件通用。

14.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述基臺由半導體材料構成，所述受光元件嵌入在所述基臺的內部，

所述受光元件的所述受光面與所述基臺的上表面配置在同一面上。