[發(fā)明專利]制作高導(dǎo)電高光反射低光損失之島狀成長結(jié)構(gòu)背電極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110282426.7 | 申請日: | 2011-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN103022161A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 簡唯倫;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權(quán))人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/052;H01L31/18 |
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| 地址: | 201707 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制作 導(dǎo)電 反射 損失 成長 結(jié)構(gòu) 電極 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是一種高導(dǎo)電高光反射低光損失之島狀成長結(jié)構(gòu)背電極,提升光在吸收層的行進(jìn)距離,提高太陽能效率,其主要目的:采用銀金屬背電極沉積成膜的機(jī)制原理,使其表面形成凸形的島狀結(jié)構(gòu),接著再鍍一層高導(dǎo)電性、平滑表面的背電極。此方法即能達(dá)到增加入射光到達(dá)背電極后反射光散射之方向性,提升光在吸收層的行進(jìn)距離,減少反射時(shí)光的損失,以增加太陽能電池發(fā)電效率。?
背景技術(shù)
在第一道制程為鍍制背電極結(jié)構(gòu)的太陽能電池,因?yàn)椴⒉幌裣儒冎魄半姌O的太陽能電池有透明導(dǎo)電玻璃有texture(絨狀)表面,所以缺乏光在組件內(nèi)部散射、增加光行進(jìn)距離的結(jié)構(gòu),若要提高散射率,需在電池入光前加裝散射裝置,成本相當(dāng)高。如能有效改善此缺點(diǎn),便能大大提升整體效率。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要是采用銀金屬背電極島狀結(jié)構(gòu)沉積成膜的機(jī)制原理,使其表面形成凸形的島狀結(jié)構(gòu),增加入射光到達(dá)背電極后反射光散射之方向性,提升光在吸收層的行進(jìn)距離,再鍍一層平滑表面的金屬薄膜層,減少光損失,以增加太陽能電池發(fā)電效率。先取得一個(gè)基板,利用濺鍍方法鍍制銀金屬背電極膜。在基板溫度較高時(shí),銀金屬會以島狀結(jié)構(gòu)沉積成膜,我們可以運(yùn)用此沉積特性,使其表面形成凸形的島狀結(jié)構(gòu),其目的在于增加銀金屬背電極的表面積,提升光反射后行進(jìn)角度分布,增加光在太陽能組件內(nèi)行徑距離;接著再鍍一層高導(dǎo)電性、平滑表面的背電極,其目的在于減少光在反射時(shí),在背電極表面的吸收與損失,有效提高太陽能電池的效率。?
具體實(shí)施方法:
吾將本發(fā)明搭配附圖,詳細(xì)說明如下:?
圖1為本發(fā)明平滑表面、島狀成長結(jié)構(gòu)背電極之示意圖,由圖中可得知,一開始取得一基板(1),將其放入將濺鍍真空腔體內(nèi),在鍍制過程中,將其基板溫度提升至200℃,此時(shí),銀金屬因?yàn)闇囟扔绊懀赡C(jī)制轉(zhuǎn)變成島狀方式沉積,此行為,使其玻膜表面形成凸形的島狀結(jié)構(gòu)(2),產(chǎn)生了許多額外的表面積。接著以基板溫度100℃的情況下在島狀結(jié)構(gòu)薄膜層上方再鍍制一層高導(dǎo)電性、平滑表面的銀金屬薄膜層(3)。此種方法,可以同時(shí)具有島狀結(jié)構(gòu)、且能有平滑表面,完成一個(gè)高導(dǎo)電高光反射低光損失之島狀成長結(jié)構(gòu)背電極,圖2為本發(fā)明平滑凸形島狀表面結(jié)構(gòu)之光行進(jìn)路線圖,當(dāng)光遇到背電極反射時(shí),未經(jīng)過凸形的島狀結(jié)構(gòu)(4)時(shí),行進(jìn)間散射角度分布較窄;相對于光經(jīng)由膜層之凸形的島狀結(jié)構(gòu)(5)時(shí),由于增加光接觸表面積,大大提升光散射角度分布,能提高光在于組件內(nèi)行進(jìn)距離,再加上有平滑高導(dǎo)電性薄膜金屬背電極層,減少光損失,有效增加入射光之利用率,提升太陽能產(chǎn)業(yè)進(jìn)爭能力。
?以上說明,對本發(fā)明而言只是說明性的,非限制性的,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解,在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。?
附圖說明:下面為結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)一步說明,圖1為本發(fā)明背電極膜層鍍制之示意圖,圖2為本發(fā)明平滑凸形島狀表面結(jié)構(gòu)之光行進(jìn)路線之示意圖。?
圖標(biāo)主要符號說明。
1?…玻璃?
2?…凸形的島狀結(jié)構(gòu)(島狀結(jié)構(gòu)成長)
3?…高導(dǎo)電性、平滑表面的銀金屬薄膜層
4?…光行走非凸形的島狀結(jié)構(gòu)背電極層之行進(jìn)路線
5?…光行走本發(fā)明凸形的島狀結(jié)構(gòu)背電極層之行進(jìn)路線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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