[發明專利]制作高導電高光反射低光損失之島狀成長結構背電極

無效

• 申請號: 201110282426.7
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103022161A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 簡唯倫;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/052;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本發明主要是采用銀金屬背電極島狀結構沉積成膜的機制原理，使其表面形成凸形的島狀結構，增加入射光到達背電極后反射光散射之方向性，提升光在吸收層的行進距離，再鍍一層平滑表面的金屬薄膜層，減少光損失，以增加太陽能電池發電效率。

2.根據權利要求1所述的一種銀金屬背電極島狀結構沉積成膜之方法，在鍍制過程中，將其基板溫度提升至一定溫度(約為200℃)，銀金屬因為溫度影響，成膜機制轉變成島狀方式沉積。

3.根據權利要求1所述的一種銀金屬背電極島狀結構沉積成膜之方法，以基板溫度100℃的情況下在島狀結構薄膜層上方再鍍制一層高導電性、平滑表面的銀金屬薄膜層。

4.根據權利要求1所述的一種銀金屬背電極島狀結構沉積成膜之方法，基板無須任何特定結構限制，只須能承受200℃的制程溫度即可。