[發明專利]二氧化錫氣體敏感性分形材料的制備方法

無效

• 申請號: 201110281835.5
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN102418070A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 陳志文;陳琛;潘登余;趙兵;丁國際;焦正;吳明紅
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/28;C01G19/02;C04B35/624
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種二氧化錫氣體敏感性分形薄膜的制備方法，其特征在于具有以下步驟：

????a.?用于脈沖激光沉積的二氧化錫靶材的制備

????利用溶膠凝膠法制備高純99.8%的二氧化錫粉末；在27?%?SnCl₄?乙醇溶液中逐滴滴加28?%氨水使其反應均勻；反應過程中實時檢測其pH值，當pH?=?7時，結束反應，可觀測到白色溶膠產生；陳化24小時后，用乙醇、丙酮進行洗滌數次；用AgNO₃檢測濾出液，直至檢測不到Cl^-為止；將上述所得凝膠放入真空干燥箱，100℃烘干水分及洗滌劑，得塊狀樣品，研磨成粉末，制備出粒徑大約4納米的二氧化錫粉末；將該粉末在0.4?GPa?壓力下制作成直徑15毫米，厚度4毫米圓塊；將該圓塊在1150?℃下燒結2小時，即成為用于脈沖激光沉積的靶材；

????b.?二氧化錫氣體敏感性分形薄膜的制備

????利用脈沖激光沉積技術，選擇KrF激光；脈沖能量350?mJ；波長248?nm；頻率10?Hz；脈沖間隔時間34納秒；設定每個脈沖注入量為5?J/cm²；SnO₂薄膜沉積在硅（100）襯底上，原位襯底溫度為300～450℃；硅襯底距離靶材4厘米；初始真空度優于1×10^?-6?mbar，沉積時氧分壓為3×10^?-2?Pa。