[發明專利]隔離外延調制裝置

無效

• 申請號: 201110280581.5
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102376692A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: Y·李;S·H·沃德曼
• 申請（專利權）人: 英特賽爾美國股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L23/62
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 錢慰民

相關申請的交叉引用

本申請涉及下面的共同代決的美國專利申請，所有的申請均通過引用并入本文中：

于2010年8月20日提交的標題為“基片泵靜電放電裝置”且在本文中稱為’360申請的美國臨時專利申請序列號61/375,360(代理人案件號SE-2841-TD)。因此，本申請要求美國臨時專利申請No.61/375,360的優先權。

于2010年12月18日提交的標題為“基片泵靜電放電裝置”且在本文中稱為’625申請的美國臨時專利申請序列號61/424,625(代理人案件號SE-2841-TD)。因此，本申請要求美國臨時專利申請No.61/424,625的優先權。

技術領域

本發明涉及電子系統和半導體器件領域。

背景技術

傳統的基片泵對于大尺寸的夾存在低效率的問題。例如，傳統泵中的中央梳形物具有比邊緣梳形物高的有效體電阻并且在邊緣梳形物之前被觸發。中央梳形物比邊緣梳形物接通得強并且在邊緣梳形物到達故障閾值之前到達故障閾值。隨著傳統基片泵夾的尺度變大，這種不一致性變得更加嚴重。因此，降低了傳統基片泵夾的總體效率。

發明概述

在一個實施方案中，提供隔離外延調制裝置。所述隔離外延調制裝置包括：基片；勢壘結構，其形成在所述基片上；隔離外延區，其形成在所述基片的上方并且通過所述勢壘結構與所述基片電隔離；半導體器件，所述半導體器件位于所述隔離外延區中；調制網絡，其形成在所述基片上并且與所述半導體器件電耦合；接合焊盤；以及接地焊盤。所述隔離外延區與所述接合焊盤和所述接地焊盤中的至少一個電耦合。所述半導體器件和外延調制網絡配置為調制輸入電壓。

附圖說明

理解附圖僅描述了示例性實施方案且因此不視為對范圍的限制，通過使用附圖將另外具體地、詳細地描述示例性實施方案，在附圖中：

圖1為隔離外延調制裝置的一個實施方案的框圖。

圖2為隔離外延調制裝置的一個實施方案的簡化電路圖。

圖3為示例性隔離外延調制裝置的俯視圖。

圖4為隔離外延調制裝置的一個實施方案的簡化剖視圖。

圖5為描述包括至少一個示例性隔離外延調制裝置的系統的一個實施方案的高級框圖。

圖6為描述制造隔離外延調制裝置的方法的一個實施方案的流程圖。

依據通常的慣例，繪制各個所述的特征不是按比例決定而是繪制用于強調與示例性實施方案相關的特定特征。

附圖中主要部件的附圖標記的列表

100調制裝置

102隔離外延區

104接合焊盤

106外延調制網絡

108接地焊盤

110半導體器件

122基片

124勢壘結構

200隔離外延調制裝置

202隔離外延區

204I/O焊盤

206外延調制網絡

208接地焊盤

210半導體器件

212電阻

214電容

216晶體管

218體環

220P+環

222基片

224勢壘結構

301體帶

303梳形物

315柵極

317源極區

319漏極區

318體環

320GND?P+環

322基片

324埋層

328勢阱

330NTUB

401體帶

403梳形物

418體環

500隔離外延調制裝置

505系統

509功率變流器

511電源

513處理電路

發明詳述

在下面的詳細說明中，參考附圖，附圖構成說明的部分，并且在附圖中通過示例具體的示例性實施方案的方式顯示。然而，應當理解的是，可以使用其它的實施方案，并且可以進行邏輯的、機械的、和電氣的改動。此外，在繪制的圖和說明書中提供的方法不應解釋為限制各個動作可以實施的次序。因此，不應在限制的意義上看待下面的詳細說明。