[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201110280400.9 | 申請日: | 2011-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN102412258A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發明(設計)人: | 金賢鎬;李錫宇;崔熙東;李相振;徐誠模 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;孫海龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器包括:
基板;
有源層和電容器下電極,所述有源層和電容器下電極位于所述基板上,彼此分開;
柵絕緣層,其位于所述有源層和所述電容器下電極上;
柵極,其位于所述柵絕緣層上的與所述有源層對應的位置處;
電容器上電極,其位于所述柵絕緣層上的與所述電容器下電極對應的位置處;
第一電極,其位置與所述柵極和所述電容器上電極分開;
層間絕緣層,其位于所述柵極、所述電容器上電極和所述第一電極上;
源極和漏極,所述源極和漏極位于所述層間絕緣層上并且連接到所述有源層,所述源極和所述漏極中的一個連接到所述第一電極;
堤層,其位于所述源極和所述漏極上,所述堤層露出所述第一電極的一部分;
間隔體,其位于所述堤層上;
有機層,其位于所述第一電極被露出的部分上;和
第二電極,其位于所述有機層上。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述柵極包括金屬氧化物材料和金屬材料。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述金屬材料位于所述金屬氧化物材料之上。
4.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述電容器上電極包括所述金屬氧化物材料。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述間隔體由與所述堤層相同的材料形成。
6.一種制造有機發光二極管有機發光二極管顯示器的方法,所述方法包括:
在基板上形成有源層和電容器下電極;
在所述有源層和所述電容器下電極上形成柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上堆疊金屬氧化物層和金屬層,在所述金屬氧化物層和所述金屬層上涂覆第一感光層,并且使用第一半色調掩模對所述第一感光層進行構圖以形成柵極、電容器上電極和第一電極;
在所述柵極、所述電容器上電極和所述第一電極上形成層間絕緣層;
在所述層間絕緣層上形成源極和漏極;
在所述源極和所述漏極上涂覆第二感光層,并且使用第二半色調掩模對所述第二感光層進行構圖,以形成堤層和間隔體;
在所述第一電極上形成有機層;和
在所述有機層上形成第二電極。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,形成所述有源層和所述電容器下電極的步驟包括:
在所述基板上形成非晶硅層;
將激光照射到所述非晶硅層上,并且將所述非晶硅層晶化以形成多晶硅層;和
對所述多晶硅層進行構圖。
8.根據權利要求6所述的方法,其中,形成所述柵極、所述電容器上電極和所述第一電極的步驟包括:
在所述柵絕緣層上順序堆疊所述金屬氧化物層和所述金屬層;
在所述金屬層上涂覆所述第一感光層,并且使用所述第一半色調掩模對所述第一感光層進行構圖,以形成各具有不同厚度的第一感光圖案和第二感光圖案;
蝕刻所述金屬氧化物層和所述金屬層,以形成柵極圖案、電容器上電極圖案和第一電極圖案;
對所述第一感光圖案和所述第二感光圖案進行灰化,以減小所述第一感光圖案的厚度并且去除所述第二感光圖案;
蝕刻由于去除所述第二感光圖案而被露出的所述電容器上電極的金屬層和所述第一電極圖案的金屬層,以形成所述電容器上電極和所述第一電極;和
去除所述第一感光圖案。
9.根據權利要求6所述的方法,所述方法還包括:在形成所述柵極、所述電容器上電極和所述第一電極之后,用雜質摻雜所述有源層和所述電容器下電極。
10.根據權利要求6所述的方法,其中,形成所述堤層和所述間隔體的步驟包括:
涂覆所述第二感光層;
將所述第二半色調掩模對齊所述第二感光層并且曝光所述第二感光層;和
將被曝光的所述第二感光層顯影,以形成所述堤層和所述間隔體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





