[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110280133.5
• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN102420197A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鹽田純司
• 申請（專利權(quán)）人: 卡西歐計算機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/525;H01L23/00;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

相關(guān)申請的參考

本發(fā)明基于并主張擁有在2010年9月28日申請的日本專利申請?zhí)?010-216881的優(yōu)先權(quán)利。包括全部的說明書、權(quán)利要求、附圖和摘要，全部被本專利所援引。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

例如，如日本特開2008-218731號公報上所記載，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中已知被稱作CSP(Chip?Size?Package)的。該半導(dǎo)體器件具備半導(dǎo)體基板，在半導(dǎo)體基板上設(shè)置的絕緣膜的上表面設(shè)置布線。在布線的焊接區(qū)(land)的上表面設(shè)置外部連接用電極。在包含布線的絕緣膜的上表面，在外部連接用電極的周圍設(shè)置密封膜。在外部連接用電極的上表面設(shè)置焊料凸塊。

在上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在形成布線及外部連接用電極之后，在包含布線及外部連接用電極的絕緣膜的上表面形成環(huán)氧樹脂組成的密封膜，其厚度比外部連接用電極的高度稍微厚一些。因此，在這種狀態(tài)下，外部連接用電極的上表面由密封膜覆蓋。然后，研磨密封膜的上表面及外部連接用電極的上部，使外部連接用電極的上表面露出。然后，在露出的外部連接用電極的上表面形成焊料凸塊。

另外，雖然日本特開2008-218731號公報沒有記載，但是在研磨密封膜的上表面?zhèn)燃巴獠窟B接用電極的上部時，因?yàn)槭褂醚邢黜剖瘉硌邢?一點(diǎn)點(diǎn)地削取)，所以在外部連接用電極的上表面由于研削而出現(xiàn)被撕裂的毛刺，并在從外部連接用電極的上表面到其周圍的密封膜的上表面形成毛刺。因此，通常作為后處理，常常使用硫酸系的蝕刻液，通過進(jìn)行濕式蝕刻，除去在從外部連接用電極的上表面到其周圍的密封膜的上表面形成的毛刺。

然而，存在如下問題：若除去形成在從外部連接用電極的上表面到其周圍的密封膜的上表面上的毛刺，則對應(yīng)于這個毛刺的除去，在外部連接用電極的周圍的密封膜的上表面形成不要的凹部，并且由于過度蝕刻而不必要地降低了外部連接用電極的高度，進(jìn)而若在外部連接用電極和密封膜之間浸入蝕刻液，則外部連接用電極的上部的外周部不必要地被腐蝕而變細(xì)，外部連接用電極和密封膜之間的密接性降低。而且，在印制布線板中直接埋入WLP(Water?Level?Package)的技術(shù)是EWLP(Embedded?Wafer?Level?Package)，埋入WLP之后，在外部連接用電極上的上層絕緣膜上設(shè)置開口部而與上層配線電氣地連接。但是，外部連接用電極與周圍的密封膜和開口部周緣部的上層絕緣膜這二層接觸，因此存在于層的邊界附近密接性不良的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供能夠在外部連接用電極的上表面不產(chǎn)生毛刺的半導(dǎo)體器件及其制造方法。另外，本發(fā)明的目的在于提供在外部連接用電極的周側(cè)面和上表面的邊界附近也能夠具有良好的密接性的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，具備：

半導(dǎo)體基板，具有連接焊盤；

外部連接用電極，在上述半導(dǎo)體基板上設(shè)置成與上述連接焊盤連接；和

密封膜，設(shè)置成覆蓋該外部連接用電極。

在上述密封膜上設(shè)置了開口部以使得露出上述外部連接用電極上表面的中央部，而且，上述密封膜設(shè)置成覆蓋上述外部連接用電極上表面的外周部。

而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體的制造方法，

在半導(dǎo)體基板上形成密封膜，以使得對形成為與半導(dǎo)體基板的連接焊盤連接的外部連接用電極的周側(cè)面及上表面進(jìn)行覆蓋；

在上述密封膜上形成開口部以使得露出上述外部連接用電極的上表面的中央部，并且上述密封膜覆蓋上述外部連接用電極的上表面的外周部。

本發(fā)明的效果將在下面的描述中闡明，而且，部分效果在描述中是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中得出。本發(fā)明的效果，可以依靠裝置及組合來實(shí)現(xiàn)并獲得。這將在下文中特別指出來。

附圖說明

隨付的附圖包含于并構(gòu)成本說明書的一部分，圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并同上表面所列概要描述及下面所列具體實(shí)施方式詳述一起用來闡述本發(fā)明原理。

圖1是作為本發(fā)明的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的平面圖。

圖2是大體沿圖1的II-II線的部分的剖面圖。

圖3是基于圖1及圖2所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子，開始準(zhǔn)備的剖面圖。

圖4是繼圖3之后的工序的剖面圖。

圖5是繼圖4之后的工序的剖面圖。

圖6是繼圖5之后的工序的剖面圖。

圖7是繼圖6之后的工序的剖面圖。

圖8是繼圖7之后的工序的剖面圖。

圖9是繼圖8之后的工序的剖面圖。