[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110280133.5 | 申請日： | 2011-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102420197A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鹽田純司 | 申請（專利權(quán)）人： | 卡西歐計算機株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/525;H01L23/00;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 陳萍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：
半導(dǎo)體基板，具有連接焊盤；
外部連接用電極，在上述半導(dǎo)體基板上設(shè)置成與上述連接焊盤連接；和
密封膜，設(shè)置成覆蓋該外部連接用電極；
在上述密封膜上設(shè)置開口部以使得露出上述外部連接用電極的上表面的中央部，而且，上述密封膜設(shè)置成覆蓋上述外部連接用電極的上表面的外周部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，
上述密封膜是單層膜狀。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，
在上述半導(dǎo)體基板上設(shè)置絕緣膜，在上述絕緣膜上設(shè)置布線以便與上述連接焊盤連接；
在上述布線的焊接區(qū)上，設(shè)置上述外部連接用電極。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，
將上述開口部除外的上述密封膜的上表面是平坦的。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，
上述密封膜之中的、上述外部連接用電極的上表面的上述外周部的上述密封膜的厚度小于等于10μm。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，
上述密封膜的開口部及上述外部連接用電極的上表面是圓形，上述密封膜的開口部的直徑比上述外部連接用電極的上表面的直徑小10μm以下的長度。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，
在上述密封膜的開口部內(nèi)及上述密封膜上，設(shè)置焊料凸塊以便至少與上述外部連接用電極的上表面的中央部連接。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，
在半導(dǎo)體基板上形成密封膜，以使得對形成為與該半導(dǎo)體基板的連接焊盤連接的外部連接用電極的周側(cè)面及上表面進行覆蓋；
在上述密封膜上形成開口部以使得露出上述外部連接用電極的上表面的中央部，而且，上述密封膜覆蓋上述外部連接用電極的上表面的外周部。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
將上述密封膜形成為單層膜狀。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
在上述半導(dǎo)體基板上使用構(gòu)圖形成的防鍍膜，通過電解電鍍形成上述外部連接用電極；
剝離上述防鍍膜；
在此，在形成上述外部連接用電極之后、剝離上述防鍍膜之前，在上述防鍍膜殘留于上述半導(dǎo)體基板上的狀態(tài)下，切除上述外部連接用電極的上部及上述防鍍膜的上表面?zhèn)取?/p>
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
通過平面刨床切除上述外部連接用電極的上部之后，形成上述密封膜以便覆蓋上述外部連接用電極的上表面全體；
在上述密封膜上形成上述開口部之前，以在上述外部連接用電極的上表面全體上殘留上述密封膜的方式形成上述密封膜。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
通過上述平面刨床切割而同時去除上述外部連接用電極的上部及上述防鍍膜的上表面?zhèn)取?!-- SIPO
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
在形成上述密封膜之后、在上述密封膜上形成上述開口部之前，在上述外部連接用電極上，研削上述密封膜的上表面?zhèn)纫允沟蒙鲜雒芊饽さ暮穸葰埩粜∮诘扔?0μm。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
通過照射激光束的激光加工，在上述密封膜上形成上述開口部。
15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
在上述密封膜上形成上述開口部，以使得上述密封膜的上述開口部及上述外部連接用電極的上表面是圓形、且上述密封膜的上述開口部的直徑比上述外部連接用電極的直徑小10μm以下。
16.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，
在上述密封膜的上述開口部內(nèi)及上述密封膜上，形成焊料凸塊以便至少與上述外部連接用電極的上表面的中央部連接。
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