[發(fā)明專利]電路載體以及用于制造電路載體的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110279396.4 | 申請日: | 2011-09-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102438397A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R.瓦爾;A.阿爾特;F.松德邁爾 | 申請(專利權(quán))人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K1/11 | 分類號(hào): | H05K1/11;H05K3/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;李家麟 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路 載體 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一種電路載體,其包括:
-?基本體(2),所述基本體(2)具有第一和第二平坦側(cè)(21,22)和多個(gè)窄側(cè)(23,24),
-?施加在基本體(2)的第一平坦側(cè)(21)上的第一印制導(dǎo)線(4),以及
-?被布置在基本體的內(nèi)部的引線框架(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路載體,其特征在于,基本體(2)此外還具有至少一個(gè)凹進(jìn)部(8),所述至少一個(gè)凹進(jìn)部(8)從基本體的施加有第一印制導(dǎo)線(4)的第一平坦側(cè)(21)被構(gòu)造直至引線框架(3),其中第一印制導(dǎo)線(4)也在凹進(jìn)部(8)中延伸直至引線框架(3),以便建立在印制導(dǎo)線(4)與引線框架(3)之間的電接觸。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電路載體,其特征在于,在基本體(2)的第二平坦側(cè)(22)上施加有第二印制導(dǎo)線(5)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電路載體,其特征在于,基本體(2)是一體式注塑制件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4之一所述的電路載體,其特征在于,導(dǎo)電材料、尤其是導(dǎo)電粘合劑(9)或者焊料或者熔化的金屬粉末被布置在凹進(jìn)部(8)的孔端部上,以便建立在引線框架(3)與伸到凹進(jìn)部(8)中的印制導(dǎo)線(4)之間的可靠的電接觸。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電路載體,其特征在于,引線框架(3)的部分區(qū)域(3a)在基本體(2)的窄側(cè)(23)上被彎曲,優(yōu)選地被彎曲90°,和/或引線框架(3)的部分區(qū)域(3a)被分離。
7.一種用于制造電路載體(1)的方法,其包括如下步驟:
-?提供具有兩個(gè)平坦側(cè)(31,32)的板狀的引線框架(3),
-?利用基本體(2)對引線框架(3)進(jìn)行二次注塑成型,使得引線框架(3)至少部分地在兩個(gè)平坦側(cè)(31,32)上被基本體(2)圍繞,以及
-?將印制導(dǎo)線(4)施加在基本體的至少一個(gè)平坦側(cè)(21)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,在基本體中引入凹進(jìn)部(8),并且印制導(dǎo)線(4)的部分(4a)也被施加在凹進(jìn)部(8)中而且與引線框架(3)以導(dǎo)電方式相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,凹進(jìn)部(8)尤其是借助激光器被鉆孔,或者凹進(jìn)部(8)在引線框架(3)的二次注塑成型期間通過相對應(yīng)形成的噴涂工具被一起噴涂。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9之一所述的方法,其特征在于,
-?為了制造印制導(dǎo)線(4),借助激光器首先將印制導(dǎo)線軌跡安置在基本體(2)上并且接著將印制導(dǎo)線(4)電鍍在所安置的印制導(dǎo)線軌跡上,或者
-?利用不可電鍍的第一塑料和可電鍍的第二塑料實(shí)施相繼的二組分噴涂過程,并且將印制導(dǎo)線(4)電鍍在可電鍍的第二塑料上,其中能首先噴涂不可電鍍的第一塑料或者首先噴涂可電鍍的第二塑料。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10之一所述的方法,其特征在于,導(dǎo)電材料、尤其是導(dǎo)電粘合劑(9)或者焊料或者熔化的金屬粉末被引入到凹進(jìn)部(8)的孔端部中,以便獲得在引線框架(3)與印制導(dǎo)線(4)之間的可靠的電連接。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法,其特征在于,引線框架(3)的部分區(qū)域(30)在基本體的窄側(cè)(23)上被彎曲,優(yōu)選地被彎曲90°。
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