[發明專利]半導體裝置及功率半導體裝置

無效

• 申請號: 201110278583.0
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102412218A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 齊藤泰仁;志村昌洋
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/495
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王成坤;胡建新

本申請基于且主張2010年9月22日申請的在先日本專利申請第2010-211910號的優先權，此申請案的全部內容以引用的方式并入本文。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置及功率半導體裝置。

背景技術

半導體裝置包括：芯片狀的半導體元件、將半導體元件密封的封裝體及與半導體元件導通且從封裝體的內部延伸到外部的電極端子。在封裝體的內部，半導體元件與電極端子通過連接構件而連接。在這樣的半導體裝置中，例如為了應對大電流，使用將金屬板加工成規定形狀的零件作為連接構件。

然而，因為半導體元件的芯片尺寸有很多種，所以配合各個芯片尺寸來設計并制造最佳的連接構件會導致零件數的增加及制造成本的上升。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠以一種連接構件安裝各種尺寸的半導體元件的半導體裝置及功率半導體裝置。

本實施方式的半導體裝置包括：基臺；半導體元件，安裝在該基臺上；電極端子，與基臺相隔開地設置；連接構件，將半導體元件與電極端子連接；及接合件。連接構件中，在與半導體元件連接的一端部設置著多個貫通孔。另外，接合件介于半導體元件與連接構件之間，并且進入至多個貫通孔內。

另外，本實施方式的功率半導體裝置包括：基臺；功率半導體元件，安裝在該基臺上；電極端子，與基臺相隔開地設置；連接構件，將功率半導體元件與電極端子連接；接合件；及密封構件。連接構件中，在與功率半導體元件連接的一端部設置著多個貫通孔。另外，接合件介于功率半導體元件與連接構件之間，并且進入至多個貫通孔內。另外，密封構件至少將功率半導體元件密封。

根據本發明的實施方式，可以提供能夠以一種連接構件安裝各種尺寸的半導體元件的半導體裝置及功率半導體裝置。

附圖說明

圖1是例示第一實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。

圖2是說明半導體元件的示意圖。

圖3是例示貫通孔的具體例的示意剖面圖。

圖4是例示貫通孔的具體例的示意剖面圖。

圖5是例示連接構件中未設置貫通孔的半導體裝置的具體例的示意俯視圖。

圖6是例示連接構件中設置著貫通孔的半導體裝置的具體例的示意俯視圖。

圖7是例示第二實施方式的半導體裝置的結構的示意俯視圖。

圖8是例示第三實施方式的半導體裝置的結構的示意俯視圖。

圖9是例示第四實施方式的半導體裝置的結構的示意俯視圖。

圖10是例示第五實施方式的功率半導體裝置的結構的示意圖。

圖11是說明連接構件及電極端子的變形例的示意圖。

具體實施方式

以下，基于附圖來說明本發明的實施方式。

另外，附圖為示意性或概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關系、各部分之間的大小的比率等并不一定與實物相同。另外，即便在表示同一部分的情況下，也有時通過附圖使彼此的尺寸或比率不同來表示。

另外，在本申請的說明書與各圖中，對與已出現的圖相關在前已經敘述過的要素相同的要素標注同一符號，并適當省略詳細的說明。

(第一實施方式)

圖1是例示第一實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。

圖1(a)是本實施方式的半導體裝置的示意俯視圖，圖1(b)是圖1(a)所示的A-A線向視的示意剖面圖。

即，如圖1(a)及(b)所示，本實施方式的半導體裝置110包括基臺10、半導體元件20、電極端子30A、連接構件40A、以及接合件51、52及53。

另外，本實施方式的說明中，將沿著基臺10的主面10a的一方向稱為X方向，將在沿著主面10a的方向上相對于X方向正交的方向稱為Y方向，將相對于主面10a垂直的方向稱為Z方向。

基臺10為支承半導體元件20且進行電氣連接的框架構件。基臺10中例如使用了銅(Cu)。基臺10包含安裝半導體元件20的基座部11、及從基座部11延伸出的電極端子30C。在基座部11，經由例如焊錫即接合件51而連接著半導體元件20。

半導體元件20中形成著晶體管或二極管等有源元件、電阻器或電容器等無源元件。半導體元件20是將半導體基板切割所得且設置成芯片狀。圖1所例示的半導體元件20中，在背面及表面分別進行電氣連接。此外，作為半導體元件20，也可以例如僅在表面進行電氣連接。