[發明專利]半導體裝置及功率半導體裝置

無效

• 申請號: 201110278583.0
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102412218A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 齊藤泰仁;志村昌洋
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/495
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王成坤;胡建新

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基臺；

半導體元件，安裝在所述基臺上；

電極端子，與所述基臺相隔開地設置；

連接構件，將所述半導體元件與所述電極端子連接，且在與所述半導體元件連接的一端部設置著多個貫通孔；及

接合件，介于所述半導體元件與所述連接構件之間，并且進入至所述多個貫通孔內。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述一端部的設置著所述多個貫通孔的區域的面積比所述半導體元件的與所述連接構件的連接面的面積大。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述連接構件包含從所述貫通孔的內壁向與所述半導體元件相反的一側立起的突起；

所述接合件從所述貫通孔的所述半導體元件一側進入到所述突起的位置為止。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

由所述突起構成的開口的直徑隨著遠離所述貫通孔而變窄。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述連接構件包含與所述電極端子的表面連接的第一面、及設置在所述第一面且與所述電極端子的側面相鄰接的第二面。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述電極端子包含所述連接構件的前端所碰觸到的階梯部。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述連接構件在所述一端部具有未設置所述貫通孔的平坦部。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述貫通孔的沿著所述一端部的主面的開口形狀為圓形。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述貫通孔的沿著所述一端部的主面的開口形狀為矩形。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

所述貫通孔包含向沿著所述主面的第一方向延伸的第一貫通部、及向相對于所述第一方向正交且沿著所述主面的所述第二方向延伸的第二貫通部。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于：

所述貫通孔設置成將所述第一貫通部及所述第二貫通部彼此的一端連接而成的L字型。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個貫通孔設置成大小各不相同的L字型。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述多個貫通孔在所述一端部設置成矩陣狀。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

還包含設置在所述半導體元件的表面的保護用絕緣膜；

所述一端部由所述保護用絕緣膜來支承。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于：

所述接合件設置在由所述保護用絕緣膜包圍的區域內。

16.一種功率半導體裝置，其特征在于，包括：

基臺；

功率半導體元件，安裝在所述基臺上；

電極端子，與所述基臺相隔開地設置；

連接構件，將所述功率半導體元件與所述電極端子連接，且在與所述功率半導體元件連接的一端部設置著多個貫通孔；

接合件，介于所述功率半導體元件與所述連接構件之間，并且進入至所述多個貫通孔內；及

密封構件，至少將所述功率半導體元件密封。