[發(fā)明專利]類金剛石復合二硫化鉬納米多層薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110277261.4
• 申請日: 2011-09-17
• 公開（公告）號: CN102994947A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 王立平;亓健偉;王云鋒;薛群基
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘭州化學物理研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002
• 代理人: 方曉佳

1.一種類金剛石復合二硫化鉬納米多層薄膜，其特征在于該薄膜鍍覆在不銹鋼表面上，薄膜由高硬度類金剛石薄膜和二硫化鉬潤滑膜多層交替構成；類金剛石薄膜單層厚度為10～100nm，層數為10-100層，二硫化鉬潤滑膜單層厚度為10-100nm，層數為10-100層；類金剛石復合二硫化鉬納米多層薄膜總厚度為1.5～6μm，硬度為12-18GPa。

2.一種類金剛石復合二硫化鉬納米多層薄膜的制備方法，其特征在于首先對不銹鋼基底進行超聲清洗前處理，然后置于MFD800型雙靶磁控濺射氣相沉積系統(tǒng)的真空腔中，依次沉積以下薄膜：(a)預抽真空至5×10^-4Pa，放電氣壓為1.0～1.5Pa，偏壓為-500～-1000V，對不銹鋼基底進行20～30min的氬等離子體濺射活化處理；(b)單層類金剛石碳薄膜沉積，采用直流電源控制石墨靶，氬氣氣氛，放電氣壓為0.8Pa，控制石墨靶電流為1.0～1.4A，在不銹鋼基底上施加偏壓-200～-400V，沉積時間為1～15min；(c)單層二硫化鉬潤滑層沉積，采用射頻電源控制二硫化鉬靶，功率為200～600W，沉積時間為1～10min；(d)重復步驟(b)和(c)，交替沉積類金剛石層和二硫化鉬潤滑層，直到所需厚度或層數，最終在不銹鋼基底表面獲得類金剛石復合二硫化鉬納米多層薄膜。