[發(fā)明專利]磁水分離型平面磁控濺射靶無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110276844.5 | 申請日: | 2011-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN102330061A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李云輝;李云松;華冬輝 | 申請(專利權(quán))人: | 衡陽市真空機(jī)電設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 衡陽市科航專利事務(wù)所 43101 | 代理人: | 楊代禎 |
| 地址: | 421001 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 水分 平面 磁控濺射 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種新材料領(lǐng)域的真空磁控濺射鍍膜裝置,特別是一種磁水分離型平面磁控濺射靶。
背景技術(shù)
磁控濺射技術(shù)自從20世紀(jì)70年代誕生以來,在高速制備金屬、半導(dǎo)體和介電薄膜方面取得了巨大進(jìn)步,廣泛用于半導(dǎo)體器件、集成電路微型化和光學(xué)器件等領(lǐng)域。所涉及的太陽能利用能效薄膜,不論是全玻璃真空集熱管、全金屬平板集熱器、以及作為太陽能熱發(fā)電核心元件的高溫集熱管,在研發(fā)過程中都完全使用了磁控濺射制膜技術(shù),而其中一種關(guān)鍵裝備就是園柱型和平面型磁控濺射靶。由于熱發(fā)電的高溫集熱管所使用的耐高溫吸收膜系(多層膜稱膜系或膜堆),有的靶材(薄膜的源料)難于獲得管材,就得放棄園柱靶,而板材就容易獲取,故高溫集熱管鍍膜機(jī)就采用靶材是板材的平面磁控濺射靶。
平面磁控濺射靶根據(jù)被鍍工件的尺寸,有平面圓型靶和平面矩型靶,原理完全一樣,把平面圓型靶沿直徑方向拉長,就是平面矩型靶?,F(xiàn)有平面磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)如圖1-4所示(省略陽極屏蔽絕緣和水管緊固結(jié)構(gòu)),其包括冷卻進(jìn)水管1、冷卻出水管2、導(dǎo)磁板3、陰極體4、靶材壓環(huán)5、螺釘6、靶材7、中心極靴8、中心永磁塊9、邊極靴10、邊永磁塊11和上、下密封圈12、13,導(dǎo)磁板3上有冷卻進(jìn)水管1和冷卻出水管2通過的通孔,其位于陰極體4的上面,靶材壓環(huán)5和靶材7位于陰極體4的下面,導(dǎo)磁板3、陰極體4和靶材壓環(huán)5通過螺釘6固定,上密封圈12位于導(dǎo)磁板3與陰極體4之間,下密封圈13位于陰極體4與靶材7之間,陰極體4中心為一通孔,冷卻進(jìn)水管1、冷卻出水管2、中心極靴8、中心永磁塊9、邊極靴10和邊永磁塊11位于陰極體4中心的通孔內(nèi),且中心永磁塊9和邊永磁塊11之間用隔條14隔開,冷卻進(jìn)水管1和冷卻出水管2向上穿過導(dǎo)磁板3并用水管密封圈15與導(dǎo)磁板3形成密封。
工作時,靶材7的背面的中心永磁塊9、邊永磁塊11產(chǎn)生的磁力線B從中心永磁塊9的N極出發(fā),穿過靶材7,回到邊永磁塊11的S極,磁場形狀如同在靶材7前面“搭建”起一個環(huán)形磁力線“棚子”。當(dāng)同時充當(dāng)電極的冷卻進(jìn)水管1和冷卻出水管2接上磁控濺射電源300~700伏負(fù)極時,電場的方向如電力線E所示,靶材7前面形成交叉的電磁場,在0.2Pa~2Pa的壓強(qiáng)下,產(chǎn)生氣體輝光放電形成等離子體,由于離子和電子遷移率的差別,在陰極區(qū)正離子從等離子體分離出來,并被加速轟擊靶材7,導(dǎo)致靶材7濺射,使固體靶材7原子脫離靶材7表面飛濺到靶面前方的工件表面形成膜層的同時,部分能量使靶材7升溫,所以必須采用循環(huán)水冷卻。由于其中心永磁塊9和邊永磁塊11與循環(huán)水是相通的,而中心永磁塊9和邊永磁塊11是一種稀土釹鐵硼(NdFeB)合金,雖然其磁性能優(yōu)良,但其缺點(diǎn)是耐蝕性差,盡管表面鍍有鎳層保護(hù),但在磁路裝配過程中,永磁塊的邊角或局部表面鎳層有微小破損,造成永磁塊局部腐蝕,時間長了,永磁塊整塊粉末化,使靶面前方磁場崎變,造成濺射鍍膜不均勻,不得不重新更換永磁塊;同時,粉末化了的永磁塊粉末也易堵塞水道,造成水流不暢,冷卻效果變差,嚴(yán)重的可能燒壞靶材7和下密封圈13而造成事故。由于稀土元素是一種越來越少的資源,價(jià)格很高,從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本(經(jīng)濟(jì)成本、時間成本)高,鍍膜質(zhì)量差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,而提供一種磁水分離型平面磁控濺射靶。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種磁水分離型平面磁控濺射靶,包括冷卻進(jìn)水管、冷卻出水管、導(dǎo)磁板、陰極體、靶材壓環(huán)、螺釘、靶材、中心極靴、中心永磁塊、邊極靴、邊永磁塊和下密封圈,導(dǎo)磁板上有冷卻進(jìn)水管和冷卻出水管通過的通孔,其位于陰極體的上面,靶材壓環(huán)和靶材位于陰極體的下面,導(dǎo)磁板、陰極體和靶材壓環(huán)通過螺釘固定,下密封圈位于陰極體與靶材之間,陰極體上有矩形槽,其中心有盲孔,陰極體上還有冷卻進(jìn)水管和冷卻出水管通過的通孔,冷卻進(jìn)水管和冷卻出水管向上穿過導(dǎo)磁板和陰極體上的通孔,并用水管密封圈與陰極體形成密封,中心極靴和中心永磁塊位于盲孔內(nèi),邊極靴和邊永磁塊位于矩形槽內(nèi)。
本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案是:?導(dǎo)磁板、陰極體、靶材壓環(huán)和靶材均為長方形,陰極體上的矩形槽為長方形,其中心的矩形槽為長條形。
本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案也可以是:?導(dǎo)磁板、陰極體、靶材壓環(huán)和靶材均為圓形,陰極體上的矩形槽為圓環(huán)形,其中心盲孔為圓形。
本發(fā)明再進(jìn)一步的技術(shù)方案是:圓環(huán)形矩形槽的圓心與圓形盲孔的圓心重合。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





