[發明專利]各向異性導電薄膜生產設備

有效

• 申請號: 201110275705.0
• 申請日: 2011-09-17
• 公開（公告）號: CN102436874A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 王宇
• 申請（專利權）人: 山西金開源實業有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源

技術領域

本發明涉及一種導電薄膜生產設備，特別是涉及一種各向異性導電薄膜生產設備。

背景技術

各向異性導電薄膜由于它僅在厚度方向上呈導電性，不用焊接或機械裝配等手段即可實現緊密的電氣連接，因而廣泛用于計算機、攝像機等精密電器的電路裝置，獲得日益廣泛的重視。用于生產各向異性導電薄膜的設備也受到廣泛的重視。隨著各向異性導電薄膜生產工藝的不斷改進，對各向異性導電薄膜的生產設備也不斷提出新的要求?？偟恼f來可以概括為以下幾點：1、導電薄膜要獲得厚度方向上的導電性，必須在磁場下為薄膜內的導電物質取向，磁場越強，越有利于導電性能的形成與改善。一般取向磁場要大于1.6T。2、為了保證相鄰導電線路間的絕緣性，要求在使磁場作用于導電材料層的工序中，停止磁場對導電材料層的作用后，再次使用反向等強磁場作用于導電材料層，反復的次數越多，磁場變換的速度越快效果越好，特別是在導電線路距離較窄時尤其重要。一般要求反復取向5次以上。如圖5所示，理想的磁場變換曲線應盡量接近矩形波。磁場從0上升至最大值的時間T₁及磁場從最大值下降到0的時間T₂要盡量的小，一般應不大于5秒。3、包含導電物質的液性高分子材料，在磁場取向完成后，要經過固化才能完成各向異性導電薄膜的制造，固化過程要維持恒定磁場并保持一定的固化溫度。

各向異性導電薄膜制造設備要滿足上述3個工藝條件，才能生產出可供實際應用的各向異性導電薄膜。但在實際制造時，如何滿足上述3個工藝條件，特別是如何保證取向磁場變換曲線盡量接近矩形波（接近到什么程度）并沒有成熟技術可以借鑒，因此給各向異性導電薄膜的生產設備的制造帶來技術上的障礙。目前，各向異性導電薄膜主要依賴進口，國內未見生產各向異性導電薄膜的設備，也未見相關文獻的報道。??

發明內容

本發明是為了解決目前沒有各向異性導電薄膜生產設備的問題，提供一種各向異性導電薄膜生產設備。

本發明采用了如下技術方案來實現：一種各向異性導電薄膜生產設備，包括作為磁軛的機架，固定于機架上的上、下磁極，上、下磁極至少有一個是相對機架可上下活動的，上、下磁極上纏繞有勵磁線圈，上、下磁極之間壓固有各向異性導電薄膜的成型模具；該生產設備還包括勵磁線圈的供電裝置，所述的供電裝置包括可控硅構成的整流電路，用于控制可控硅導通角的計算機控制器，其中計算機控制器的信號輸入端連接有置于兩磁極間的磁場強度傳感器和連接于勵磁線圈供電回路中的電流傳（互）感器；計算機控制器在相應軟件支持下，按照設定的電流函數I=I（t）對可控硅整流電路的輸出電流實現連續控制；所述電流函數I=I（t）的具體表達式為：

其中:?I₀=勵磁飽和電流；

I_m=為大于勵磁飽和電流值的設定電流值；

B（t）=為磁場強度傳感器采集的并傳輸給計算機控制器的實時磁場強度；

B₀=飽和磁場強度；

T₁為磁場上升時間段，即磁場從0上升至最大值的時間段；

T₂為磁場維持時間段，即磁場最大值的保持時間段；

T₃為磁場下降時間段，即磁場從最大值下降至零的時間段；

其中設定電流I_m是采用如下方法確定的：任意給定一個設定電流值（I_m>I₀），計算機控制器在相應軟件支持下，按照設定的電流函數I=I（t）對可控硅整流電路的輸出電流實現連續控制，在示波器上觀察此時勵磁線圈所建磁場的波形，當磁場波形中磁場上升時間段T₁小于等于3秒時，此時對應的設定電流值就是選定值；該設備還包括各向異性導電薄膜的固化裝置。

所屬領域的技術人員可容易地設計出多種結構來實現上、下磁極至少有一個相對機架上下活動。

成型模具用于制造具有多個導電路徑形成部和絕緣部的各向異性導電薄膜，絕緣部將這些導電路徑形成部件彼此絕緣。相對于各向異性導電薄膜的結構，成型模具的上下模的相對表面上有凸起部分和凹下部分，凸起部分導磁以形成導電薄膜上的導電路徑。該成型模具的基本結構和工作過程為本技術領域人員所公知。