[發明專利]各向異性導電薄膜生產設備

有效

• 申請號: 201110275705.0
• 申請日: 2011-09-17
• 公開（公告）號: CN102436874A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 王宇
• 申請（專利權）人: 山西金開源實業有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源

1.一種各向異性導電薄膜生產設備，其特征在于包括作為磁軛的機架（1），固定于機架上的上、下磁極（2），上、下磁極至少有一個是相對機架可上下活動的，上、下磁極上纏繞有勵磁線圈（3），上、下磁極之間壓固有各向異性導電薄膜的成型模具（4），所述成型模具由上模和下模構成；該生產設備還包括勵磁線圈的供電裝置（8），所述的供電裝置包括可控硅構成的整流電路，用于控制可控硅導通角的計算機控制器，其中計算機控制器的信號輸入端連接有置于兩磁極間的磁場強度傳感器（6）和連接于勵磁線圈供電回路中的電流傳感器（7）；計算機控制器在相應軟件支持下，按照設定的電流函數I=I（t）對可控硅整流電路的輸出電流實現連續控制；所述電流函數I=I（t）的具體表達式為：

其中:?I₀=勵磁飽和電流；

I_m=為大于勵磁飽和電流值的設定電流值；

B（t）=為磁場強度傳感器采集的并傳輸給計算機控制器的實時磁場強度；

B₀=飽和磁場強度；

T₁為磁場上升時間段，即磁場從0上升至最大值的時間段；

T₂為磁場維持時間段，即磁場最大值的保持時間段；

T₃為磁場下降時間段，即磁場從最大值下降至零的時間段；

其中設定電流I_m是采用如下方法確定的：任意給定一個設定電流值，計算機控制器在相應軟件支持下，按照設定的電流函數I=I（t）對可控硅整流電路的輸出電流實現連續控制，在示波器上觀察此時勵磁線圈所建磁場的波形，當磁場波形中磁場上升時間段T₁小于等于3秒時，此時對應的設定電流值就是選定值；該設備還包括各向異性導電薄膜的固化裝置。

2.如權利要求1所述的各向異性導電薄膜生產設備，其特征在于所述各向異性導電薄膜的固化裝置包括有貼在成型模具（4）上下模相對面上的電熱膜（9）、與電熱膜相連接的熱電偶（10）和向電熱膜供電的溫控電源（11）；所述溫控電源（11）包含有計算機控制系統；所述熱電偶（10）的信號輸出端與溫控電源計算機控制系統的信號輸入端相連接。

3.如權利要求1或2所述的各向異性導電薄膜生產設備，其特征在于機架（1）頂部開有卡槽，上磁極的上部限制在卡槽內；在卡槽上部設有與機架固定的支撐板（12），支撐板（12）上開有螺孔并在螺孔內設有螺桿（13），螺桿的上端設有手輪（14），螺桿（13）的下端與上磁極固定。