[發(fā)明專利]附著模塊、附接基板的設(shè)備及制造附著襯墊的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110274943.X | 申請日: | 2011-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN102683254A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃載錫 | 申請(專利權(quán))人: | 麗佳達(dá)普株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;孫海龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 附著 模塊 附接基板 設(shè)備 制造 襯墊 方法 | ||
1.一種附著模塊,所述附著模塊包括:
框架;以及
附著襯墊,在所述框架的一側(cè)上提供且能夠通過分子之間的吸引力附著基板,
其中所述附著襯墊包括在所述附著襯墊上分組布置的多個附著部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的附著模塊,其中所述附著部分包括由多個凸出分隔壁形成的多個分區(qū),且所述多個附著凸起分別布置在所述分區(qū)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊,其中所述分隔壁包括與所述多個附著凸起相同的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的附著模塊,其中所述分隔壁和所述多個附著凸起包括硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊,其中所述分隔壁凸出為具有與所述附著凸起相同的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊,其中所述分隔壁凸出為具有比所述附著凸起更低的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊,其中所述分隔壁形成為方形圖案,且所述多個附著凸起被配置成具有圓形剖面。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的附著模塊,其中所述框架包括環(huán)形結(jié)構(gòu),且所述框架的一側(cè)包括其中多個緊固部分沿著圓周方向布置的外圓周部分以及其中能夠布置所述附著襯墊的內(nèi)圓周部分。
9.一種基板附接設(shè)備,所述基板附接設(shè)備包括:
腔體;以及
附著卡盤,其布置在所述腔體內(nèi)且能夠通過分子之間的吸引力附著運送到所述腔體內(nèi)的基板,
所述附著卡盤包括附著襯墊,所述附著襯墊包括以設(shè)置圖案形成多個分區(qū)的分隔壁以及布置在相應(yīng)分區(qū)中以附著基板的多個附著凸起。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板附接設(shè)備,其中所述附著卡盤包括布置在其一側(cè)上的可拆卸的多個附著模塊,且所述附著襯墊分別在所述多個附著模塊的一側(cè)上形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板附接設(shè)備,其中所述分隔壁具有等于或低于所述附著凸起的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板附接設(shè)備,其中所述分隔壁形成為方形圖案。
13.一種制造設(shè)置有多個附著凸起的附著襯墊的方法,所述方法包括:
在模板的頂面上形成具有預(yù)設(shè)圖案的凹槽;
通過將形成有所述凹槽的模板的頂面壓到液化成型材料上而轉(zhuǎn)印所述凹槽的圖案;
硬化所述成型材料;以及
移除所述模板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中形成所述凹槽包括:
向所述模板的頂面應(yīng)用光刻膠;
對所述光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖以對應(yīng)于所述凹槽的所述圖案;以及
在所述光刻膠的頂面上進(jìn)行蝕刻工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中形成所述凹槽包括:
基于多個線性形狀形成第一構(gòu)圖凹槽,將所述模板的頂面分隔成多個區(qū)域,以及形成分別布置在由所述第一構(gòu)圖凹槽分隔出的所述多個區(qū)域中的第二構(gòu)圖凹槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述第二構(gòu)圖凹槽具有等于或深于所述第一構(gòu)圖的深度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中所述蝕刻工藝被執(zhí)行一次以形成所述第一構(gòu)圖凹槽,且被執(zhí)行兩次以形成所述第二構(gòu)圖凹槽。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述模板的頂面上的所述凹槽通過壓印工藝形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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