[發明專利]MOSFET及其制造方法

有效

• 申請號: 201110274852.6
• 申請日: 2011-09-16
• 公開（公告）號: CN103000671A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 朱慧瓏;許淼;梁擎擎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/36
• 分類號: H01L29/36;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種MOSFET，包括：

SOI晶片，所述SOI晶片包括半導體襯底、絕緣埋層和半導體層，所述絕緣埋層位于所述半導體襯底上，所述半導體層位于所述絕緣埋層上；

柵疊層，所述柵疊層位于半導體層上；

源區和漏區，所述源區和漏區嵌于所述半導體層中且位于所述柵堆疊兩側；

溝道區，嵌于所述半導體層中且夾在所述源區和漏區之間；

其中，所述MOSFET還包括背柵，所述背柵嵌于所述半導體襯底中并且包括形成背柵的下部區域的第一摻雜區和形成背柵的上部區域的第二摻雜區。

2.根據權利要求1所述的MOSFET，其中所述背柵的摻雜類型與MOSFET的類型相同或相反。

3.根據權利要求1所述的MOSFET，其中位于所述溝道區下方的所述背柵的摻雜濃度朝著所述溝道區的中心逐漸減小或逐漸增大。

4.根據權利要求1所述的MOSFET，其中所述背柵中的摻雜濃度為1x10¹⁷/cm³至1x10²⁰/cm³。

5.根據權利要求1所述的MOSFET，其中所述背柵鄰接于所述絕緣埋層。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的MOSFET，還包括補償注入區，所述補償注入區位于所述溝道區下方且嵌于所述背柵的第二摻雜區中。

7.根據權利要求6所述的MOSFET，其中所述補償注入區的摻雜類型與MOSFET的類型相同或相反。

8.根據權利要求6所述的MOSFET，其中所述補償注入區的摻雜濃度比背柵的摻雜濃度低。

9.根據權利要求8所述的MOSFET，其中所述補償注入區中的摻雜濃度為1x10¹⁵/cm³至1x10¹⁸/cm³。

10.根據權利要求1所述的MOSFET，還包括用于將所述MOSFET和相鄰的MOSFET隔開的隔離區，所述隔離區的深度深于所述背柵。

11.一種制造MOSFET的方法，包括

提供SOI晶片，所述SOI晶片包括半導體襯底、絕緣埋層和半導體層，所述絕緣埋層位于所述半導體襯底上，所述半導體層位于所述絕緣埋層上；

執行第一次背柵離子注入，第一次背柵離子注入是深注入并在所述半導體襯底中形成背柵的第一注入區；

在所述半導體層上形成假柵；

執行第二次背柵離子注入，第二次背柵離子注入是淺注入并在所述半導體襯底中形成背柵的第二注入區；

執行源/漏離子注入，在所述半導體層中形成源區和漏區；

去除所述假柵以形成柵極開口；

經所述柵極開口，執行補償離子注入，以形成補償注入區，所述補償注入區嵌于所述背柵的第二注入區中；

在所述柵極開口中形成柵疊層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第一次背柵離子注入的注入劑量為1x10¹³/cm²至1x10¹⁵/cm²。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二次背柵離子注入的注入劑量為1x10¹³/cm²至1x10¹⁵/cm²。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，在所述第二次背柵離子注入中，按照與SOI晶片的主表面垂直的方向注入離子，使得在所述假柵下方的所述半導體襯底中的摻雜濃度小于所述半導體襯底中的其他部分的摻雜濃度。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，在所述第二次背柵離子注入中，按照與SOI晶片的主表面傾斜的方向注入離子，使得在所述假柵下方的所述半導體襯底中的摻雜濃度大于所述半導體襯底中的其他部分的摻雜濃度。

16.根據權利要求11所述的方法，其中，在所述第一次背柵離子注入和所述第二次背柵離子注入中采用的摻雜劑的摻雜類型相同。