[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110274284.X
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN102412289A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 北川光彥
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：

基極層；

設(shè)置在所述基極層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

第一絕緣膜，設(shè)置在從所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面向所述基極層側(cè)延伸、未到達(dá)所述基極層的多個第一溝槽的內(nèi)壁上；和

第一電極，隔著所述第一絕緣膜設(shè)置在所述第一溝槽內(nèi)，并且與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面相接地設(shè)置，

所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層具有：

由所述第一溝槽夾持的第1第二導(dǎo)電型區(qū)域；和

第2第二導(dǎo)電型區(qū)域，設(shè)置在所述第1第二導(dǎo)電型區(qū)域與所述基極層之間以及所述第一溝槽的底部與所述基極層之間，所述第2第二導(dǎo)電型區(qū)域的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)量比所述第1第二導(dǎo)電型區(qū)域少。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具備：

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述基極層的設(shè)有所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的面的相反側(cè)；

第二絕緣膜，設(shè)置在從所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面向所述基極層側(cè)延伸、未到達(dá)所述基極層的多個第二溝槽的內(nèi)壁上；和

第二電極，隔著所述第二絕緣膜設(shè)置在所述第二溝槽內(nèi)，并且與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面相接地設(shè)置，

所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層具有：

由所述第二溝槽夾持的第1第一導(dǎo)電型區(qū)域；和

第2第一導(dǎo)電型區(qū)域，設(shè)置在所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域與所述基極層之間以及所述第二溝槽的底部與所述基極層之間，所述第2第一導(dǎo)電型區(qū)域的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)量比所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域少。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

還具備：

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，在所述基極層的設(shè)有所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的面?zhèn)龋c所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層離開地設(shè)置；

第二絕緣膜，設(shè)置在從所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面向所述基極層側(cè)延伸、未到達(dá)所述基極層的多個第二溝槽的內(nèi)壁上；和

第二電極，隔著所述第二絕緣膜設(shè)置在所述第二溝槽內(nèi)，并且與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面相接地設(shè)置，

所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層具有：

由所述第二溝槽夾持的第1第一導(dǎo)電型區(qū)域；和

第2第一導(dǎo)電型區(qū)域，設(shè)置在所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域與所述基極層之間以及所述第二溝槽的底部與所述基極層之間，所述第2第一導(dǎo)電型區(qū)域的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)量比所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域少。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第2第二導(dǎo)電型區(qū)域的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度比所述第1第二導(dǎo)電型區(qū)域低。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第2第一導(dǎo)電型區(qū)域的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度比所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域低。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第2第二導(dǎo)電型區(qū)域的厚度比所述第一溝槽的深度小。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第2第一導(dǎo)電型區(qū)域的厚度比所述第二溝槽的深度小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第1第二導(dǎo)電型區(qū)域與所述第一電極相接，

在所述第2第二導(dǎo)電型區(qū)域與所述第一電極之間設(shè)置所述第一絕緣膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域與所述第二電極相接，

在所述第2第一導(dǎo)電型區(qū)域與所述第二電極之間設(shè)置所述第二絕緣膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第1第二導(dǎo)電型區(qū)域的寬度為1μm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第1第一導(dǎo)電型區(qū)域的寬度為1μm以下。