[發(fā)明專利]一種甲基氯硅烷的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110273132.8
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN102286016A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚軍;陳海慶;蔣旭明;李偉;馬高琪;毛國清;夏青;唐嵩
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇弘博新材料有限公司;嘉興學(xué)院
• 主分類號: C07F7/12
• 分類號: C07F7/12
• 代理公司: 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種甲基氯硅烷的制備方法，包括：將CH₃Cl和從直接法生產(chǎn)(CH₃)₂SiCl₂產(chǎn)生的共沸物分離得到的SiCl₄副產(chǎn)物或西門子法生產(chǎn)多晶硅還原工藝中產(chǎn)生的SiCl₄廢液汽化后通入填充有鋁粉的流化床反應(yīng)器中，反應(yīng)得到通式為(CH₃)_nSiCl_4-n的甲基氯硅烷混合產(chǎn)物，其中n為1～4的自然數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的鋁粉在流化床反應(yīng)器中的裝料系數(shù)為0.3～0.9。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述的鋁粉在流化床反應(yīng)器中的裝料系數(shù)為0.4～0.7。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的反應(yīng)溫度為250～350℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述的反應(yīng)溫度為280～320℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的SiCl₄副產(chǎn)物或所述的SiCl₄廢液中的SiCl₄與CH₃Cl的物質(zhì)的量比為1∶1～1∶5。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的SiCl₄副產(chǎn)物或所述的SiCl₄廢液中的SiCl₄與CH₃Cl的物質(zhì)的量比為1∶2～1∶4。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的SiCl₄副產(chǎn)物與CH₃Cl或所述的SiCl₄廢液與CH₃Cl共同汽化后通入流化床反應(yīng)器的總流速為50～300L/h·1kg鋁粉。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述的SiCl₄副產(chǎn)物與CH₃Cl或所述的SiCl₄廢液與CH₃Cl共同汽化后通入流化床反應(yīng)器的總流速為100～200L/h·1kg鋁粉。