[發(fā)明專利]封裝耦合器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110272183.9
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102403560A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 希拉勒·伊茲丁;克萊爾·拉波特
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(圖爾)公司
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16;H01P5/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總的來說涉及電子工業(yè)，且更具體地涉及無線電收發(fā)系統(tǒng)。本發(fā)明更具體地涉及形成封裝體中的耦合器。

背景技術(shù)

耦合器通常用來獲得所謂的主要或主傳輸線上存在的部分功率并將其提供給位于附近的另一所謂的耦合線或副線。耦合器根據(jù)它們是由分立無源元件構(gòu)成還是由互相靠近以耦合的導(dǎo)線構(gòu)成而分成集總元件耦合器和分布式耦合器兩類。本公開內(nèi)容與第二類耦合器有關(guān)。主線的端口通常稱為IN(輸入)和OUT(輸出)。耦合線的在端子IN側(cè)的端口通常稱為CPL(耦合)，在端子OUT側(cè)的端口通常稱為ISO(隔離)。

分布式耦合器通常以薄絕緣基板上的導(dǎo)線的形式制造。形成衰減器的電阻元件也可以與該耦合器結(jié)合。一旦完成，將該組件封裝在封裝體中，該封裝體設(shè)置有例如連接到電子電路板的導(dǎo)電凸塊。

當(dāng)在基板上形成時(shí)，通常利用接地板包圍耦合器的導(dǎo)線。

發(fā)明人已注意到，該接地板對耦合器的性能且尤其是對定向性造成影響，定向性對應(yīng)于從端口IN開始的端口ISO和CPL之間的傳輸損耗的差。而且，導(dǎo)電凸塊的尺寸也對所述性能造成影響。凸塊越大，定向性越不佳。

發(fā)明內(nèi)容

一實(shí)施方式提供了克服常見耦合器的所有缺點(diǎn)或部分缺點(diǎn)的耦合器。

另一實(shí)施方式提供了小體積的耦合器

再一實(shí)施方式避免了耦合器的定向性因接地板的影響而降低。

實(shí)施方式提供了一種分布式耦合器，所述分布式耦合器包括用以傳輸其兩個(gè)端部之間的無線電信號的第一線和用以通過耦合對所述信號的部分進(jìn)行采樣的第二線，其中：

所述線中的一個(gè)線形成在絕緣基板上；以及

另一線形成在支撐所述基板的引線框上，一個(gè)線位于另一線上方。

根據(jù)實(shí)施方式，所述第二線的端部連接到電阻衰減器。

根據(jù)實(shí)施方式，接地板彼此緊靠層疊地形成在所述基板上和所述引線框中。

根據(jù)實(shí)施方式，所述第二線形成于所述基板的第一表面上，所述基板的另一表面在所述主線上方。

根據(jù)實(shí)施方式，所述第二線形成于所述基板的第一表面上，所述基板通過導(dǎo)電凸塊位于所述引線框上

接合附圖，在以下具體實(shí)施方式的非限制性描述中，將詳細(xì)地討論上述的和其他的目的、特征和優(yōu)勢。

附圖說明

圖1是分布式耦合器的簡化圖；

圖2是位于常見耦合器中的基板上的導(dǎo)電層的簡化俯視圖；

圖3是耦合器的實(shí)施方式的簡化圖；

圖4示出了圖3的耦合器的一部分的實(shí)施方式；

圖5是圖3的耦合器的封裝體的俯視圖；

圖6示出了封裝耦合器的實(shí)施方式的截面圖；以及

圖7示出了封裝耦合器的另一實(shí)施方式的截面圖。

具體實(shí)施方式

在不同的附圖中，用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，所述不同附圖不按比例繪制。為了清楚，僅示出了那些對于理解本發(fā)明有用的元件，并將對這些元件進(jìn)行描述。具體地，未詳述能夠連接到耦合器的不同的上游電路和下游電路，本發(fā)明的實(shí)施方式與無線電收發(fā)電路中目前使用的耦合器相容。而且，也未詳述實(shí)際的耦合器制造步驟，本發(fā)明的實(shí)施方式同樣與傳統(tǒng)的步驟相容。

圖1示意性地示出了分布式耦合器1。所述耦合器包括用于傳輸(接收或發(fā)送)無線電信號的主線12。所謂的輸入端口或通道IN位于信號接收側(cè)上(根據(jù)傳輸方向，位于放大器側(cè)或天線側(cè)上)，而所謂的輸出端口或通道OUT(有時(shí)還稱為DIR)相反地位于天線側(cè)或接收放大器側(cè)上。耦合器1的耦合線或副線14對主線的部分功率采樣。耦合器的端口CPL對應(yīng)于端口IN側(cè)上的副線的端部并提供與測量有關(guān)的信息。該線的另一端部限定端口ISO。

在圖1的示例中，耦合器是對稱的，即其端口或通道的定義取決于外部連接。

圖2是通過薄層沉積而在絕緣基板2上形成的耦合器的簡化俯視圖。

若干導(dǎo)電層(圖2示出了其中的單個(gè)導(dǎo)電層22)堆疊在基板2上，導(dǎo)電層中插入有絕緣層。在導(dǎo)電層22中形成接地板M，各個(gè)主線12和副線14以導(dǎo)電路徑的形式形成在接地板的開口24中。端口IN、OUT、CPL和ISO位于形成有導(dǎo)電凸塊的區(qū)域26上。副線的端部142和端部144不直接連接到相應(yīng)焊盤26，而通過由方塊表示的電阻衰減器28連接到相應(yīng)焊盤26。這樣的衰減器包括與各個(gè)端部144和關(guān)注的焊盤26的連接線(由圖2中的虛線表示的連接線)以及接地連接。

為了簡化，圖2中示出了一個(gè)導(dǎo)電層，但應(yīng)當(dāng)注意到，實(shí)際上整個(gè)耦合器通常需要三個(gè)導(dǎo)電層。