[實用新型]一種高效率肖特基芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220731995.5 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN203055917U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 關(guān)仕漢;呂新立 | 申請（專利權(quán)）人： | 淄博美林電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和專利代理事務(wù)所 37223 | 代理人： | 孫愛華 |
| 地址： | 255000 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高效率 肖特基 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高效率肖特基芯片，包括頂部金屬層（1）、頂部金屬層（1）下方的肖特基界面（5）、緊靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一溝槽（3）、下部的N型外延層N-EPI（6）和N型基片N+Substrate（7），其特征在于：在兩相鄰第一溝槽之間增設(shè)第二溝槽（4），使肖特基界面成為平面和溝槽相間隔的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率肖特基芯片，其特征在于：所述的第二溝槽（4）為方形槽，每兩個第一溝槽（3）之間設(shè)置一個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高效率肖特基芯片，其特征在于：所述的第二溝槽（4）的深度低于第一溝槽（3）的深度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
