[發(fā)明專利]電子部件裝置的制造方法和電子部件封裝用樹脂組合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110270558.8 | 申請日: | 2011-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN102386111A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 豐田英志;木戶茂富 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/29;C08L63/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 部件 裝置 制造 方法 封裝 樹脂 組合 | ||
1.一種電子部件裝置的制造方法,所述方法包括如下步驟:
在包裝基材上按陣列布置多個電子部件,然后在所述包裝基材的電子部件安裝區(qū)域上依次堆疊如下(B)中所示的熱固性樹脂組合物片材(片材B)和如下(A)中所示的熱固性樹脂組合物片材(片材A),同時設置所述電子部件安裝區(qū)域的中心和XY面方向使得與所述片材A和B兩者的中心和XY面方向基本一致;
在減壓下的室中、在選自70~150℃范圍的成形溫度下,對保持該設置狀態(tài)的所述包裝基材進行加熱,從而引起所述片材A的整個外周的末端部分軟化并下垂而與所述包裝基材接觸,且緊密封閉被所述片材A的整個外周包圍的空間;
在下垂的狀態(tài)下,對覆蓋所述片材B和所述電子部件的所述片材A進行壓制;
釋放所述室中的壓力,從而在所述片材A和所述包裝基材之間形成的封閉空間中,由所述片材B的熔融物進行所述電子部件的底部填充;
在所述底部填充后,熱固化所述片材A和B兩者的樹脂組合物,從而獲得其中所述包裝基材上的所述多個電子部件被樹脂封裝的電子部件裝置組件;和
將所述電子部件裝置組件切塊,從而獲得每個獨立的電子部件裝置:
(A)熱固性樹脂組合物片材,其在成形溫度下的粘度為2,000~50,000Pa·s且尺寸滿足如下條件(1):
<條件(1)>
Ax>P+8
Ay>Q+8
式中Ax是在片材A的X軸方向上的長度(mm),Ay是在片材A的Y軸方向上的長度(mm),P是在電子部件安裝區(qū)域的X方向上的長度(mm),Q是在電子部件安裝區(qū)域的Y方向上的長度(mm),
(B)熱固性樹脂組合物片材,其在成形溫度下的粘度為20~250Pa·s且尺寸滿足如下條件(2):
<條件(2)>
Ax≥Bx>P×0.8
Ay≥By>Q×0.8
式中Bx是在片材B的X軸方向上的長度(mm),By是在片材B的Y軸方向上的長度(mm),P是在電子部件安裝區(qū)域的X方向上的長度(mm),Q是在電子部件安裝區(qū)域的Y方向上的長度(mm),Ax是在片材A的X軸方向上的長度(mm),Ay是在片材A的Y軸方向上的長度(mm)。
2.權利要求1的電子部件裝置的制造方法,其中所述片材A的尺寸滿足如下條件(1′):
<條件(1′)>
t1+t2+40+P>Ax>t1+t2+8+P
t1+t2+40+Q>Ay>t1+t2+8+Q
(t1+0.5)-[(n×Vc)/(P×Q)]>Az>t1-[(n×Vc)/(P×Q)]
式中Ax是在片材A的X軸方向上的長度(mm),Ay是在片材A的Y軸方向上的長度(mm),Az是片材A的厚度(mm),t1是電子部件的厚度(mm),t2是電子部件連接用電極部件的高度(mm),P是在電子部件安裝區(qū)域的X方向上的長度(mm),Q是在電子部件安裝區(qū)域的Y方向上的長度(mm),Vc是每一個電子部件的體積(mm3),n是封裝的電子部件數(shù)。
3.權利要求1的電子部件裝置的制造方法,其中所述片材B的尺寸滿足如下條件(2′):
<條件(2′)>
Ax≥Bx>P×0.8
Ay≥By>Q×0.8
{[P×Q×(t1+t2)-n(Vc+Vb)]/(P×Q)}+0.1>Bz>(t2×P×Q-Vb×n)/(P×Q)
式中Bx是在片材B的X軸方向上的長度(mm),By是在片材B的Y軸方向上的長度(mm),Bz是片材B的厚度(mm),t1是電子部件的厚度(mm),t2是電子部件連接用電極部件的高度(mm),P是在電子部件安裝區(qū)域的X方向上的長度(mm),Q是在電子部件安裝區(qū)域的Y方向上的長度(mm),Vb是安裝在一個電子部件上的凸塊(連接用電極部件)的總體積(mm3),Vc是每一個電子部件的體積(mm3),n是封裝的電子部件數(shù),Ax是在片材A的X軸方向上的長度(mm),Ay是在片材A的Y軸方向上的長度(mm)。
4.權利要求1的電子部件裝置的制造方法,其中所述室中的減壓處于0.01~5kPa范圍內。
5.權利要求1的電子部件裝置的制造方法,其中所述壓制的步驟在50~1,000kPa的壓力下進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





