[發明專利]內嵌電容式觸控面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201110267828.X | 申請日: | 2011-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN102654664A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | 黎蔚;陳東 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 式觸控 面板 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及觸控面板技術領域,尤其涉及一種內嵌電容式觸控面板及其制備方法。
背景技術
目前,觸控面板技術被廣泛應用于液晶顯示器,以制作具有可以同時顯示影像以及輸入功能的顯示器,例如電阻式、電容式以及波動式(如音波、紅外線與雷射)等。電容式觸控面板分為:外掛電容式觸控面板和內嵌電容式觸控面板,其中,外掛電容式觸控面板是將觸控面板與液晶顯示器直接進行上下的疊合,內嵌電容式觸控面板是將觸控面板融合在液晶顯示器的內部。
外掛電容式觸控液晶顯示器,由于必須在液晶顯示器上疊合一個觸控面板,使得液晶顯示器的厚度和重量大幅地增加,不符合現在市場對于液晶顯示器輕薄短小的要求,而且由于光穿透觸控面板的層數眾多,致使光穿透時,光量遭到吸收,光穿透率損失大。
在傳統的內嵌電容式觸控液晶顯示器中,觸控電路設計在陣列基板上,這種設計會使內置的觸控感應電極與液晶顯示器屏幕之間隔有其他材料,導致觸控感應電極與液晶顯示器屏幕之間的距離增大,進而影響到觸控操作產生的電容變化,使觸控感應性能降低,而且,由于將觸控電路內置在液晶顯示器中,增加了液晶顯示器的制作工序,使得生產內嵌電容式觸控液晶顯示器的成本較高。
發明內容
本發明的實施例提供一種內嵌電容式觸控面板及其制備方法,無需增加原有的液晶顯示器制作工序即可完成電容式觸控面板的設計,降低了內嵌電容式觸控液晶顯示器的成本,并且提高了觸控感應性能。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一種內嵌電容式觸控面板,包括:觸控電路,所述觸控電路包括:設置在陣列基板上的感應單元和放大單元;
所述感應單元與所述放大單元連接,所述感應單元與陣列基板上顯示像素結構中的柵線連接;
所述顯示像素結構中的柵線為感應單元提供開啟電壓,感應單元開啟后,感應單元中生成一個電壓,觸控操作使所述感應單元中的電壓發生變化,所述放大單元將所述感應單元中電壓的變化放大并將放大后的電壓變化導出。
所述感應單元包括:
與顯示像素結構中的薄膜場效應晶體管同層設置的第一薄膜場效應晶體管、與顯示像素結構中的數據線同層設置的感應電容和預設電壓線;
所述第一薄膜場效應晶體管的柵極與顯示像素結構中的柵線連接,所述第一薄膜場效應晶體管的源極與所述預設電壓線連接,所述第一薄膜場效應晶體管的漏極與感應電容上極板連接;
所述顯示像素結構中的柵線為所述第一薄膜場效應晶體管提供開啟電壓,所述預設電壓線為所述第一薄膜場效應晶體管提供充電電壓,所述第一薄膜場效應晶體管開啟后為所述感應電容充電,使感應電容上產生電壓,觸控操作使所述感應電容上的電壓發生變化。
所述放大單元包括:
與顯示像素結構中的薄膜場效應晶體管同層設置的第二薄膜場效應晶體管、與顯示像素結構中的數據線同層設置的電源線和觸控數據線;
所述第二薄膜場效應晶體管的柵極與所述感應電容下極板連接,所述第二薄膜場效應晶體管的源極與所述電源線連接,所述第二薄膜場效應晶體管的漏極與所述觸控數據線連接;
所述電源線為所述第二薄膜場效應晶體管提供電源,所述第二薄膜場效應晶體管將所述感應電容上電壓的變化放大,所述觸控數據線將所述放大后的電壓變化導出。
還包括:導電屏蔽物,所述導電屏蔽物設置在感應單元中第一薄膜場效應晶體管的源極上。
所述導電屏蔽物的材質為導電聚苯乙烯。
一種內嵌電容式觸控面板的制備方法,包括:
形成包括顯示像素結構和觸控電路的陣列基板,所述觸控電路包括:相互連接的感應單元電路和放大單元電路,所述感應單元電路與顯示像素結構中的柵線連接;
形成彩膜基板;
將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒,將液晶材料注入盒中。
所述感應單元電路包括:第一薄膜場效應晶體管、感應電容和預設電壓線;所述放大單元電路包括:第二薄膜場效應晶體管、觸控數據線和電源線;所述顯示像素結構包括:薄膜場效應晶體管、柵線、數據線和像素電極;
所述形成包括顯示像素結構和觸控電路的陣列基板,所述觸控電路包括:相互連接的感應單元電路和放大單元電路,具體為:
在基板上形成柵線圖形和柵極絕緣層圖形,并同時形成第一薄膜場效應晶體管柵線圖形和第二薄膜場效應晶體管柵線圖形;
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