[發(fā)明專利]內(nèi)嵌電容式觸控面板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110267828.X
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN102654664A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎蔚;陳東
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/133
• 分類號(hào): G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G06F3/044
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，包括：觸控電路，所述觸控電路包括：設(shè)置在陣列基板上的感應(yīng)單元和放大單元；

所述感應(yīng)單元與所述放大單元連接，所述感應(yīng)單元與陣列基板上顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接；

所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為感應(yīng)單元提供開啟電壓，感應(yīng)單元開啟后，感應(yīng)單元中生成一個(gè)電壓，觸控操作使所述感應(yīng)單元中的電壓發(fā)生變化，所述放大單元將所述感應(yīng)單元中電壓的變化放大并將放大后的電壓變化導(dǎo)出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，所述感應(yīng)單元包括：

與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第一薄膜場效應(yīng)晶體管、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線；

所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極與所述預(yù)設(shè)電壓線連接，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與感應(yīng)電容上極板連接；

所述顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線為所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管提供開啟電壓，所述預(yù)設(shè)電壓線為所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管提供充電電壓，所述第一薄膜場效應(yīng)晶體管開啟后為所述感應(yīng)電容充電，使感應(yīng)電容上產(chǎn)生電壓，觸控操作使所述感應(yīng)電容上的電壓發(fā)生變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，所述放大單元包括：

與顯示像素結(jié)構(gòu)中的薄膜場效應(yīng)晶體管同層設(shè)置的第二薄膜場效應(yīng)晶體管、與顯示像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的電源線和觸控?cái)?shù)據(jù)線；

所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的柵極與所述感應(yīng)電容下極板連接，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的源極與所述電源線連接，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極與所述觸控?cái)?shù)據(jù)線連接；

所述電源線為所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管提供電源，所述第二薄膜場效應(yīng)晶體管將所述感應(yīng)電容上電壓的變化放大，所述觸控?cái)?shù)據(jù)線將所述放大后的電壓變化導(dǎo)出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，還包括：導(dǎo)電屏蔽物，所述導(dǎo)電屏蔽物設(shè)置在感應(yīng)單元中第一薄膜場效應(yīng)晶體管的源極上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌電容式觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)電屏蔽物的材質(zhì)為導(dǎo)電聚苯乙烯。

6.一種內(nèi)嵌電容式觸控面板的制備方法，其特征在于，包括：

形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括：相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，所述感應(yīng)單元電路與顯示像素結(jié)構(gòu)中的柵線連接；

形成彩膜基板；

將所述彩膜基板和所述陣列基板封裝成盒，將液晶材料注入盒中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述感應(yīng)單元電路包括：第一薄膜場效應(yīng)晶體管、感應(yīng)電容和預(yù)設(shè)電壓線；所述放大單元電路包括：第二薄膜場效應(yīng)晶體管、觸控?cái)?shù)據(jù)線和電源線；所述顯示像素結(jié)構(gòu)包括：薄膜場效應(yīng)晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極；

所述形成包括顯示像素結(jié)構(gòu)和觸控電路的陣列基板，所述觸控電路包括：相互連接的感應(yīng)單元電路和放大單元電路，具體為：

在基板上形成柵線圖形和柵極絕緣層圖形，并同時(shí)形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形；

在形成有所述柵線圖形和柵極絕緣層圖形的基板上形成薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極，并同時(shí)形成第一薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和第二薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形；

在形成有所述薄膜場效應(yīng)晶體管有源區(qū)圖形和像素電極的基板上形成數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形，并同時(shí)形成預(yù)設(shè)電壓線圖形、第一薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形、觸控?cái)?shù)據(jù)線圖形和電源線圖形；

在形成有數(shù)據(jù)線圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極圖形的基板上形成鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔，并同時(shí)形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管源極過孔和電源線過孔；

在形成有鈍化層圖形和薄膜場效應(yīng)晶體管漏極過孔的基板上形成公共對置電極透明導(dǎo)電膜圖形，并同時(shí)形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管透明導(dǎo)電膜圖形。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管柵線圖形包括：形成相互連接的第一柵線圖形和第二柵線圖形，所述第一柵線圖形用于形成第二薄膜場效應(yīng)晶體管，所述第二柵線圖形用于形成感應(yīng)電容。