[發(fā)明專利]鍍膜件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110267028.8
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102994954A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;B32B9/04;B32B15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，其包括基材，其特征在于：該鍍膜件還包括形成于基材表面的復合層及形成于復合層表面的鉻氧氮層，該復合層包括若干鎳鋁鈥層和若干金屬銥層，該鎳鋁鈥層和金屬銥層交替排布，其中該復合層中與所述基材直接相結合的是鎳鋁鈥層，與鉻氧氮層直接相結合的為金屬銥層。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該鎳鋁鈥層中鎳的原子百分含量為50～60%，鋁的原子百分含量為25～30%，鈥的原子百分含量為10～25%。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該鉻氧氮層中鉻的原子百分含量為80～90%，氧的原子百分含量為5～10%，氮的原子百分含量為5～10%。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述若干金屬銥層和若干鎳鋁鈥層的層數(shù)均為50～133層。

5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該基材由金屬或陶瓷制成。

6.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：每一金屬銥層的厚度為15～20nm。

7.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：每一鎳鋁鈥層的厚度為15～20nm。

8.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該鉻氧氮層的厚度為3～5μm。

9.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供基材；

在該基材的表面形成鎳鋁鈥層；

在該鎳鋁鈥層的表面形成金屬銥層；

交替重復上述形成鎳鋁鈥層和金屬銥層的步驟制備所述復合層，且使復合層的最外層為金屬銥層；

在該復合層的表面形成鉻氧氮層。

10.如權利要求9所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：形成所述鎳鋁鈥層的方法為：采用磁控濺射法，使用鎳鋁鈥合金靶，設置鎳鋁鈥合金靶的電源功率為10～15kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為80～150sccm，對基材施加的偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為100～200℃，濺鍍鎳鋁鈥層的時間為45～90s。

11.如權利要求9所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：形成所述金屬銥層的方法為：采用磁控濺射法，使用銥靶，設置銥靶的電源功率為8～10kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為80～150sccm，對基材施加的偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為100～200℃，濺鍍金屬銥層的時間為45～90s。

12.如權利要求9所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：交替濺鍍鎳鋁鈥層和金屬銥層的次數(shù)為50～133次。

13.如權利要求9所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：形成所述鉻氧氮層的方法為：采用磁控濺射法，使用鉻靶，并設置鉻靶的電源功率為8～10kw，以氮氣和氧氣為反應氣體，氮氣流量為10～50sccm，氧氣流量為20～80sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為80～150sccm，對基材施加的偏壓為-100～-300V，鍍膜溫度為100～200℃，濺鍍鉻氧氮層的時間為50～80min。