[發(fā)明專利]形成非平面晶體管的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110266577.3
• 申請(qǐng)日: 2011-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN103000518A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴圣輝;黃瑞民;蔡振華;蔡世鴻;林建廷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種形成非平面晶體管的方法，包括：

提供基底，該基底上定義有有源區(qū)以及周邊區(qū)；

于該基底的該有源區(qū)中形成多個(gè)超淺溝槽隔離；

移除各超淺溝槽隔離的部分，以使各超淺溝槽隔離間暴露出的該基底構(gòu)成多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)；

于該基底上的該有源區(qū)以及該周邊區(qū)上形成導(dǎo)電層，并覆蓋各鰭狀結(jié)構(gòu)；

圖案化該導(dǎo)電層，使得該導(dǎo)電層在該周邊區(qū)中形成平面晶體管的柵極，而同時(shí)于該有源區(qū)中形成至少一非平面晶體管的柵極；以及

于該非平面晶體管的該柵極兩側(cè)的該鰭狀結(jié)構(gòu)中形成源極/漏極。

2.如權(quán)利要求1的形成非平面晶體管的方法，其中該導(dǎo)電層包括多晶硅或金屬。

3.如權(quán)利要求1的形成非平面晶體管的方法，其中該基底還包括隔離區(qū)包圍該有源區(qū)。

4.如權(quán)利要求3的形成非平面晶體管的方法，其中還包括在該隔離區(qū)中形成淺溝槽隔離。

5.如權(quán)利要求4的形成非平面晶體管的方法，先形成該淺溝槽隔離后，再形成該超淺溝槽隔離。

6.如權(quán)利要求4的形成非平面晶體管的方法，先形成該超淺溝槽隔離后，再形成該淺溝槽隔離。

7.如權(quán)利要求4的形成非平面晶體管的方法，還包括：

在該基底上形成掩模層；

圖案化該掩模層，以在該隔離區(qū)中形成第一圖案化掩模層；

以該第一圖案化掩模層為掩模蝕刻該基底，以在該隔離區(qū)中形成第一溝槽，并在該第一溝槽中填入第一絕緣層以形成該淺溝槽隔離；

圖案化該掩模層，以在該有源區(qū)中形成第二圖案化掩模層；以及

以該第二圖案化掩模層為掩模蝕刻該基底，以在該有源區(qū)中形成至少一第二溝槽，并在該第二溝槽中填入第二絕緣層以形成該超淺溝槽隔離。

8.如權(quán)利要求4的形成非平面晶體管的方法，其中形成該多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)的步驟包括：

于該基底上形成圖案化掩模層，該圖案化掩模層具有開口，且該開口的側(cè)壁對(duì)應(yīng)設(shè)置于最靠近該隔離區(qū)的該超淺溝槽隔離上；以及

以該圖案化掩模層為掩模進(jìn)行蝕刻工藝，以形成該多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求4的形成非平面晶體管的方法，其中該淺溝槽隔離在基底中的深度為2000埃至3000埃。

10.如權(quán)利要求4的形成非平面晶體管的方法，其中該超淺溝槽隔離在基底中的深度為200至500埃。

11.如權(quán)利要求1的形成非平面晶體管的方法，其中該平面晶體管的該柵極與該非平面晶體管的該柵極具有相同的水平高度。