[發明專利]形成非平面晶體管的方法

有效

• 申請號: 201110266577.3
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN103000518A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 戴圣輝;黃瑞民;蔡振華;蔡世鴻;林建廷
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

技術領域

本發明涉及一種制作非平面晶體管結構的方法，特別是涉及一種能同時形成非平面晶體管以及平面晶體管的方法。

背景技術

近年來，隨著各種消費性電子產品不斷的朝小型化發展，半導體元件設計的尺寸亦不斷縮小，以符合高集成度、高效能和低耗電的潮流以及產品需求。

然而，隨著電子產品的小型化發展，現有的平面晶體管(planar?transistor)已經無法滿足產品的需求。因此，目前發展出一種非平面晶體管(non-planar)的鰭狀晶體管(Fin-FET)技術，其具有立體的柵極溝道(channel)結構，可有效減少基底的漏電、降低短溝道效應，并具有較高的驅動電流。但由于鰭狀晶體管是屬于立體的結構，較傳統結構復雜，制造難度也偏高，一般通常是在硅絕緣(silicon-on-insulator，SOI)基底上形成，若要相容于現有的硅基底工藝則有一定的難度。并且，由于鰭狀晶體管的制法較為特殊，因和現有的平面晶體管整合時，也會遇到一定的問題。

發明內容

本發明于是提供一種同時形成非平面晶體管以及平面晶體管的方法。

根據實施例，本發明提供一種形成非平面晶體管的方法。首先提供基底，基底上定義有有源區以及周邊區。接著于基底的有源區中形成多個超淺溝槽隔離。然后移除部分的超淺溝槽隔離，以暴露出基底的一部分側壁。于基底上的有源區以及周邊區上形成導電層，并覆蓋住基底的部分側壁。圖案化導電層，使得該導電層在該周邊區中形成平面晶體管的柵極，而位于有源區中同時形成至少一非平面晶體管的柵極。于鰭狀電極的柵極的兩側形成源極/漏極。

本發明提供了一種僅需要一道光掩模即可同時定義出平面晶體管的柵極以及非平面晶體管的方法，且兩者具有相同水平高度的柵極，工藝簡單。此外，本發明還整合了在有源區中形成超淺溝槽隔離工藝以及在隔離區中形成淺溝槽隔離的方法，且由于都是利用同一個掩模層以進行圖形轉移，并不會影響整體工藝。

附圖說明

圖1至圖10繪示了本發明形成非平面晶體管的步驟示意圖。

附圖標記說明

300基底????????????????????????314第二溝槽

301有源區??????????????????????316第二絕緣層

302襯墊層??????????????????????317超淺溝槽隔離

303隔離區??????????????????????318第三圖案化光致抗蝕劑層

304掩模層??????????????????????319介電層

305周邊區??????????????????????320導電層

306第一圖案化光致抗蝕劑層??????321鰭狀結構

308第一溝槽????????????????????322平面晶體管的柵極

310第一絕緣層??????????????????323源極/漏極

311淺溝槽隔離??????????????????324非平面晶體管的柵極

具體實施方式

為使本發明所屬技術領域的一般技術人員能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明的數個優選實施例，并配合附圖，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成的功效。