[發明專利]一種多尼培南水合物晶體及其制備方法有效
| 申請號: | 201110266374.4 | 申請日: | 2011-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN102285988A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發明(設計)人: | 安曉霞;呂鋒;胡猛;周吳;王光華 | 申請(專利權)人: | 上海希邁醫藥科技有限公司;江蘇迪賽諾制藥有限公司 |
| 主分類號: | C07D477/20 | 分類號: | C07D477/20;C07D477/02 |
| 代理公司: | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 何葆芳 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多尼培南 水合物 晶體 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明是涉及一種多尼培南水合物晶體及其制備方法,屬于有機化學技術領域。
背景技術
多尼培南(Doripenem)是日本鹽野義制藥公司開發的新型β-甲基碳青霉烯抗生素,于2005年9月16日在日本上市,商品名為Finibax。多尼培南于2007年10月15日被美國FDA批準,用于臨床治療復雜性腹內感染與復雜性尿路感染。通過抑制細胞壁合成,顯示出廣譜、高效的抗菌活性,特別對銅綠假單胞菌的活性強于現有碳青霉烯抗生素。其化學結構式如下:
中國專利(專利號為ZL92111069.3及ZL95104834.1)公開了無定型多尼培南的制備方法,眾所周知,無定型物質通常較晶型物質穩定性差,不易保存,為了克服這些缺陷,日本鹽野義制藥公司相繼公開了四種多尼培南結晶(晶型I、晶型II、晶型III及晶型IV)及其制備方法,所述的四種晶體化合物的具體信息見表1所示。
表1
上述四種晶型中,I、II、III三種晶型的穩定性不好,只有晶型IV是其中穩定性最好的晶型,但是,晶型IV并不能直接獲得,必須先得到晶型III后,再通過減壓干燥獲得,無疑存在制備工藝復雜、制備成本高等缺陷。
中國專利(專利號為ZL200610028746.9)又相繼公開了二種多尼培南結晶(晶型V及晶型VI)及其制備方法,所述的二種晶體化合物的具體信息見表2所示。
表2
中國專利(專利號為ZL200710127224.9)公開了另一種多尼培南晶型V,含2分子結晶水,所述的晶體化合物的具體信息見表3所示。
表3
盡管已有上述多種晶型的報道,但仍有必要研究方便易得、熱力學穩定性好、可順利工業化生產的多尼培南新晶型,以保證原料藥及其制劑在制備和儲存中的穩定性,以提高多尼培南的藥物質量和臨床療效。
發明內容
本發明的目的是提供一種純度高、殘留溶劑低、穩定性好的多尼培南水合物晶體及提供一種工藝簡單、制備成本低廉、適合工業化生產的該晶體的制備方法。
為實現上述發明目的,本發明采用的技術方案如下:
本發明所述的多尼培南水合物晶體,其粉末X射線衍射譜圖如圖1所示,且晶體中的水分測定值為4.4~5.5%。
進一步說,本發明所述的多尼培南水合物晶體,還具有圖2所示的DSC譜圖、圖3所示的TG譜圖及圖4所示的IR譜圖。
更進一步說,本發明所述的多尼培南水合物晶體,在粉末X射線衍射下,在2θ為6.43°±0.2°,13.02°±0.2°,14.96°±0.2°,15.27°±0.2°,15.85°±0.2°,16.60°±0.2°,17.46°±0.2°,20.60°±0.2°,21.04°±0.2°,22.18°±0.2°,23.88°±0.2°,25.35°±0.2°,26.04°±0.2°,28.19°±0.2°,29.00°±0.2°,31.65°±0.2°,34.09°±0.2°,34.90°±0.2°處有主峰,在2θ為10.86°±0.2°,11.22°±0.2°,18.05°±0.2°,18.43°±0.2°,18.92°±0.2°,19.62°±0.2°,23.10°±0.2°,23.40°±0.2°,33.34°±0.2°,36.44°±0.2°,37.21°±0.2°,38.04°±0.2°,39.77°±0.2°,41.22°±0.2°,45.22°±0.2°處有次要峰。
進一步說,本發明所述的多尼培南水合物晶體中的異丙醇殘余量≤500ppm。
更進一步說,本發明所述的多尼培南水合物晶體中的異丙醇殘余量≤300ppm。
一種本發明所述的多尼培南水合物晶體的制備方法,包括如下步驟:
a)將多尼培南粗品溶于40~70℃(優選為50~60℃)的水中;
b)冷卻至0~25℃(優選為10~25℃),加入活性炭,攪拌脫色5~15分鐘;
c)過濾,將濾液降溫到0~10℃,有固體析出,保溫攪拌1~2小時;
d)過濾,用異丙醇/水=4∶1洗滌濾餅;
e)在40~60℃,5~10mmHg下干燥至晶體中的水分測定值為4.4~5.5%(優選為4.7~5.2%),即得所述的多尼培南水合物晶體。
進一步,本發明所述的多尼培南水合物晶體的制備方法,包括如下步驟:
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