[發明專利]具有屏蔽電磁干擾功能的層結構有效
| 申請號： | 201110266285.X | 申請日： | 2011-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN102916001A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 蔡明汎;李信宏;方柏翔 | 申請（專利權）人： | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 屏蔽 電磁 干擾 功能 結構 | ||
1.一種具有屏蔽電磁干擾EMI功能的層結構，其應用于三維3D集成電路，該層結構包括：
本體；
第一硅穿孔，其形成于該本體中，且于垂直方向上延伸穿過該本體；
第二硅穿孔，其形成于該本體中，且與該第一硅穿孔平行，且延伸穿過該本體；以及
多個屏蔽電磁干擾硅穿孔，各該屏蔽電磁干擾硅穿孔延伸穿過該本體，且其軸線與該本體表面夾一銳角，其中，該多個屏蔽電磁干擾硅穿孔構成至少一通過該第一硅穿孔與該第二硅穿孔之間的路徑，并與該第一及第二硅穿孔電性絕緣。
2.根據權利要求1所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，該本體為無機絕緣材或有機絕緣材。
3.根據權利要求1所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，該本體為硅基材。
4.根據權利要求1所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，該第一與第二硅穿孔由金屬或半導體材料。
5.根據權利要求1所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，該多個屏蔽電磁干擾硅穿孔彼此串連，且所構成的路徑為鋸齒狀。
6.根據權利要求1所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，該多個屏蔽電磁干擾硅穿孔構成至少二個鋸齒狀路徑，以形成網柵屏蔽，且該網柵屏蔽在該第一與第二硅穿孔之間具有至少一網目。
7.根據權利要求1所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，該多個屏蔽電磁干擾硅穿孔構成至少二個鋸齒狀路徑，以形成網柵屏蔽，且至少二個該屏蔽電磁干擾硅穿孔于該第一與第二硅穿孔之間呈現X型交錯。
8.根據權利要求7所述的具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，其特征在于，呈現X型交錯的至少二個該屏蔽電磁干擾硅穿孔為電性連接。
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