[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201110265635.0
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102403204A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 廣沢俊一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/301
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

技術領域

本發明涉及通過激光束的照射將晶片分割為一個個器件的加工方法。

背景技術

在半導體器件制造工序中，利用呈格子狀地排列的、被稱作間隔道的分割預定線在大致圓盤形狀的半導體晶片的表面劃分出多個區域，并在這些劃分出的區域形成IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(large?scale?integration：大規模集成電路)等器件。然后，通過以切削裝置沿間隔道切削半導體晶片，從而將半導體晶片分割為一個個的半導體芯片(器件)。

在沿間隔道切削前，磨削要分割的晶片的背面以使其形成為預定的厚度。近些年，為了實現電氣設備的輕量化、小型化，要求晶片的厚度更薄，例如達到50μm左右。

像這樣形成的較薄的晶片像紙一樣挺度低，難以處理，存在著在搬送等時破損的可能性。因此，提出了如下的磨削方法：僅磨削晶片的與器件區域對應的背面，在與圍繞器件區域的外周剩余區域對應的晶片背面形成環狀的加強部(例如，參照專利文獻1)。

此外，作為將如此在背面的外周形成有環狀的加強部的晶片沿間隔道(分割預定線)分割的方法，提出了如下方法：在除去環狀的加強部后，用切削刀具從晶片的表面側進行切削(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2007-173487號公報

專利文獻2：日本特開2007-19379號公報

然而，除去了環狀的加強部的晶片存在著容易因切割時的處理而破損的問題。因此，在將在背面外周形成有環狀的加強部的晶片分割為一個個的器件時，應在何時將環狀的加強部去除成了問題。

發明內容

本發明正是鑒于該問題而完成的，其目的在于提供一種晶片的加工方法，能夠將在外周留有環狀的加強部而中央部分被磨削得很薄的晶片分割為一個個的器件而不會損害切割加工時的處理性。

本發明涉及一種晶片的加工方法，該晶片的加工方法是將晶片分割為一個個的器件的晶片的加工方法，所述晶片在表面具有器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域，在所述器件區域中，多個器件被分割預定線而劃分開來，該晶片的加工方法由以下的工序構成。

(1)晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，磨削晶片的與器件區域對應的背面以磨削至預定的厚度，并且在與外周剩余區域對應的背面形成環狀的加強部；

(2)晶片支承工序，在該晶片支承工序中，在晶片的背面粘貼切割帶，并且將切割帶的外周部粘貼到具有收納晶片的開口部的切割框架，從而由切割框架支承晶片；

(3)晶片保持工序，在該晶片保持工序中，將由切割框架支承的晶片保持于卡盤工作臺，所述卡盤工作臺具有：吸引保持晶片的與器件區域對應的背面的器件區域保持部；和支承環狀的加強部的環狀加強部支承部；

(4)燒蝕加工工序，在該燒蝕加工工序中，從晶片的表面側沿分割預定線照射激光束來實施燒蝕加工，從而將晶片分割為一個個的器件，并且在環狀的加強部形成分解起點；

(5)擴張工序，在該擴張工序中，通過擴張切割帶，來以分解起點為起點將環狀的加強部分解并從器件區域分離，并且使相鄰的器件之間的間隔擴寬；以及

(6)拾取工序，在該拾取工序中，從切割帶拾取一個個的器件。

在本發明中，在將晶片分割為一個個的器件的燒蝕工序中在環狀加強部形成分解起點，并在使相鄰的器件之間的間隔擴寬的擴張工序中使環狀加強部從器件區域分離，由此，在將晶片分割為一個個的器件時仍存在環狀加強部。因此，能夠將晶片分割為一個個的器件而無損晶片的分割加工時的處理性。此外，在擴張工序中進行將環狀加強部從器件區域分離的工序，無需用于分離環狀加強部的獨立的工序，因此生產性高。

附圖說明

圖1是示出晶片的一個例子的俯視圖。

圖2是概要地示出在晶片的表面粘貼有保護帶的狀態的剖視圖。

圖3是示出磨削晶片的器件區域的背面的狀態的立體圖。

圖4是概要地示出在晶片的器件區域的背面形成有凹部并在其外周側形成有環狀加強部的狀態的剖視圖。

圖5是概要地示出在晶片的背面粘貼有切割帶的狀態的剖視圖。

圖6是概要地示出將晶片保持于激光加工裝置的卡盤工作臺的狀態的剖視圖。

圖7是概要地示出對晶片實施燒蝕加工的狀態的剖視圖。

圖8是示出實施過燒蝕加工的晶片的俯視圖。

圖9是示出相鄰的器件之間的間隔擴寬后的狀態的剖視圖。

圖10是概要地示出拾取器件的狀態的剖視圖。

標號說明