[發明專利]晶片的加工方法有效
| 申請號: | 201110265635.0 | 申請日: | 2011-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN102403204A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 廣沢俊一郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,該晶片的加工方法是將晶片分割為一個個的器件的晶片的加工方法,所述晶片在表面具有器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域,在所述器件區域中,多個器件被分割預定線劃分開來,該晶片的加工方法的特征在于包括以下的工序:
晶片磨削工序,在該晶片磨削工序中,磨削晶片的與器件區域對應的背面以磨削至預定的厚度,并且在與外周剩余區域對應的背面形成環狀的加強部;
晶片支承工序,在該晶片支承工序中,在所述晶片的背面粘貼切割帶,并且將該切割帶的外周部粘貼到具有收納晶片的開口部的切割框架,從而由該切割框架支承所述晶片;
晶片保持工序,在該晶片保持工序中,將由所述切割框架支承的晶片保持于卡盤工作臺,所述卡盤工作臺具有:吸引保持所述晶片的與器件區域對應的背面的器件區域保持部;和支承所述環狀的加強部的環狀加強部支承部;
燒蝕加工工序,在該燒蝕加工工序中,從所述晶片的表面側沿分割預定線照射激光束來實施燒蝕加工,從而將所述晶片分割為一個個的器件,并且在所述環狀的加強部形成分解起點;
擴張工序,在該擴張工序中,通過擴張所述切割帶,來以所述分解起點為起點將所述環狀的加強部分解并從所述器件區域分離,并且使相鄰的器件之間的間隔擴寬;以及
拾取工序,在該拾取工序中,從所述切割帶拾取一個個的器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





