[發明專利]一種基于體電場調制的LDMOS器件有效
| 申請號： | 201110265578.6 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN102306659A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 胡佳賢;韓雁;張世峰;張斌 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 電場 調制 ldmos 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于體電場調制的LDMOS器件，包括第一導電類型襯底層和設于第一導電類型襯底上的第二導電類型漂移層；其特征在于：
所述的第一導電類型襯底層內設有浮空區，所述的浮空區由若干第一導電類型浮空層和若干第二導電類型浮空層在水平方向上交替疊加而成。
2.根據權利要求1所述的基于體電場調制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一導電類型襯底層的摻雜濃度為1×1013～1×1022atom/cm3。
3.根據權利要求1所述的基于體電場調制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第二導電類型漂移層的摻雜濃度為1×1013～1×1020atom/cm3。
4.根據權利要求1所述的基于體電場調制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一導電類型浮空層的摻雜濃度為1×1014～1×1021atom/cm3。
5.根據權利要求1所述的基于體電場調制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第二導電類型浮空層的摻雜濃度為1×1014～1×1021atom/cm3。
6.根據權利要求1所述的基于體電場調制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一導電類型襯底層的長度為0.1～400μm，厚度為0.1～1000μm。
7.根據權利要求1所述的基于體電場調制的LDMOS器件，其特征在于：所述的第一導電類型浮空層或第二導電類型浮空層的長度為0.1～1000μm，厚度為0.1～200μm。
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