[發(fā)明專利]對非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110265040.5
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN103000227A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾志敏
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 張?bào)K

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體失效分析方法，具體涉及一種對非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法。

背景技術(shù)

失效單元位圖(failure?bitmap)分析方法是存儲器器件失效分析的常用方法。利用位圖分析，通常能夠進(jìn)行較為準(zhǔn)確的故障點(diǎn)定位。但是由于失效因素的多樣性和電路及版圖結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，單憑存儲單元位圖定位可能帶來方向性的偏差，從而為失效分析帶來困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種對非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法，它可以提供更為精確可靠的故障定位方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明對非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法的技術(shù)解決方案為，包括以下步驟：

步驟一：根據(jù)非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品存儲區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)和/或版圖布局的特點(diǎn)，通過對非揮發(fā)存儲器的操作過程中存儲器陣列內(nèi)電路節(jié)點(diǎn)狀態(tài)的分析，建立起一張“失效模型-失效表征”真值表，該真值表由潛在的失效模型、關(guān)鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數(shù)進(jìn)行描述；

所述失效模型為電路級和/或版圖級失效模型。

所述非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品的關(guān)鍵電路模擬量具有可測性。

所述關(guān)鍵電路模擬量為非揮發(fā)存儲器在操作過程中加載在存儲單元陣列中的編程電壓和/或控制電壓。

步驟二：使用該真值表實(shí)現(xiàn)真實(shí)失效模型的建模，然后使用建模結(jié)果指導(dǎo)物理分析定位；

工序一、對存儲器進(jìn)行測試，獲得真值表中的失效表征信息，包括關(guān)鍵電路模擬量和失效單元位圖信息；

工序二、使用工序一中測量所獲得的失效表征信息作為輸入，在“失效模型-失效表征”真值表中通過查表的方法得到與輸入特征對應(yīng)的失效模型。

本發(fā)明可以達(dá)到的技術(shù)效果是：

本發(fā)明在進(jìn)行物理分析定位前建立起準(zhǔn)確清晰的失效模型，能夠使失效模型的建模具有系統(tǒng)性的特點(diǎn)，并且引入關(guān)鍵電路模擬量作為失效表征參數(shù)，能夠大大提高非揮發(fā)存儲器故障點(diǎn)定位的邏輯嚴(yán)密性和精確度，從而提高失效分析的定位效率和成功率，減少人為判斷失誤的可能性。

本發(fā)明能夠克服在非揮發(fā)存儲器失效分析中單純依靠失效單元位圖分析方法的局限性，提供更為精確可靠的故障定位方法。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：

圖1是本發(fā)明對非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法所建立的失效模型-失效表征真值表的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明對非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品進(jìn)行失效故障定位失效模型建模的方法，包括以下步驟：

步驟一：根據(jù)非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品存儲區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)及版圖布局的特點(diǎn)，通過對非揮發(fā)存儲器的各種操作(如擦/寫/讀)過程中存儲器陣列內(nèi)電路節(jié)點(diǎn)狀態(tài)的分析，建立起一張“失效模型-失效表征”真值表，該真值表由潛在失效模型(電路級或版圖級失效模型)、關(guān)鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數(shù)進(jìn)行描述，如圖1所示；該真值表包含潛在失效模型與芯片特征行為關(guān)聯(lián)；

失效模型是指電路節(jié)點(diǎn)級或版圖節(jié)點(diǎn)級的失效模型，如開路/短路等；

失效表征是指存儲器在進(jìn)行各種電路操作模式下，失效模型導(dǎo)致的失效單元位圖輸出結(jié)果及關(guān)鍵電路模擬量輸出結(jié)果的集合；

該真值表的建立原理是：

逐一假設(shè)存儲器中的電路節(jié)點(diǎn)級或版圖節(jié)點(diǎn)級發(fā)生失效的可能情形(即潛在失效模型)，則每一失效模型會出現(xiàn)對應(yīng)的失效表征，即表現(xiàn)出相應(yīng)的失效單元位圖輸出結(jié)果及關(guān)鍵電路模擬量輸出結(jié)果；

所述非揮發(fā)存儲器類產(chǎn)品的關(guān)鍵電路模擬量具有可測性，即需要在產(chǎn)品電路設(shè)計(jì)階段實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵電路模擬量輸出的可測性設(shè)計(jì)；

關(guān)鍵電路模擬量可以是非揮發(fā)存儲器在操作過程中加載在存儲單元陣列中的編程電壓和/或控制電壓，如編程正高壓(VPOS)、編程負(fù)高壓(VNEG)。

步驟二：使用該真值表實(shí)現(xiàn)真實(shí)失效模型的建模，然后使用建模結(jié)果指導(dǎo)物理分析定位；

具體方法是：

工序一、通過電測試方法對存儲器進(jìn)行測試，獲得真值表中的失效表征信息，如關(guān)鍵電路模擬量和失效單元位圖(Failure?Bitmap)信息；

工序二、使用工序一中測量獲得的失效表征信息作為輸入，在“失效模型-失效表征”真值表中通過查表的方法得到與輸入特征對應(yīng)的失效模型(電路級及版圖級)。