[發明專利]對非揮發存儲器類產品進行失效模型建模的方法無效
| 申請號： | 201110265040.5 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN103000227A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 曾志敏 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/04 | 分類號： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 張驥 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 揮發 存儲器 類產品 進行 失效 模型 建模 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對非揮發存儲器類產品進行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：根據非揮發存儲器類產品存儲區域的電路結構和/或版圖布局的特點，通過對非揮發存儲器的操作過程中存儲器陣列內電路節點狀態的分析，建立起一張“失效模型-失效表征”真值表，該真值表由潛在的失效模型、關鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數進行描述；
步驟二：使用該真值表實現真實失效模型的建模，然后使用建模結果指導物理分析定位；
工序一、對存儲器進行測試，獲得真值表中的失效表征信息，包括關鍵電路模擬量和失效單元位圖信息；
工序二、使用工序一中測量所獲得的失效表征信息作為輸入，在“失效模型-失效表征”真值表中通過查表的方法得到與輸入特征對應的失效模型。
2.根據權利要求1所述的對非揮發存儲器類產品進行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述失效模型為電路級和/或版圖級失效模型。
3.根據權利要求1所述的對非揮發存儲器類產品進行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述非揮發存儲器類產品的關鍵電路模擬量具有可測性。
4.根據權利要求1所述的對非揮發存儲器類產品進行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述關鍵電路模擬量為非揮發存儲器在操作過程中加載在存儲單元陣列中的編程電壓和/或控制電壓。
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