[發明專利]氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片

無效

• 申請號: 201110264884.8
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102361124A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 郝敏
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片。?

背景技術

衰減片是把大電壓信號根據實際要求衰減到一定的比例倍數(一般指功率衰減)，達到安全或理想的電平值，方便測試工作，尤其在射頻和微波中運用廣泛目前大多數通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監控，當基站工作發生故障時無法及時地作出判斷，對設備沒有保護作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監控，對設備有保護作用。衰減片是一種能量消耗元件，功率消耗后變成熱量。可以想象，材料結構確定后，衰減器的功率容量就確定了，如果讓衰減器承受的功率超過設計的極限值，衰減器就會被燒毀，所以材料的選擇和線路結構的設計，以及尺寸的大小，生產工藝對功率的影響很大，市場對環保和尺寸小型化的要求越來越高，之前的使用的氧化鈹作為基板材料，不符合環保的要求.?

目前國內30W-3dB的氮化鋁陶瓷衰減片的衰減精度大多只能做到1G頻率以內，少數能做到2G，且衰減精度和設備配備的VSWR較難控制。而市場對衰減精度的要求很高，我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。目前市場上的衰減片當使用頻?段高于2G時，其衰減精度達不到要求，回波損耗變大，滿足不了2G以上的頻段應用要求。?

目前國內的30W-3dB衰減片因為設計的原因，衰減精度達不到要求，并且抗高低溫沖擊性能差，當完成高低溫沖擊實驗后，阻抗和衰減精度會偏出實際要求的范圍。?

發明內容

針對上述現有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一種阻抗滿足50±1.5Ω，在3G頻段以內衰減精度為3±0.5dB，駐波要求滿足市場實際需求，能夠滿足目前3G網絡的應用要求的氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片。?

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：?

一種氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片，其包括一5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，。本產品基于先進的厚膜工藝生產。?

優選的，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。?

優選的，所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。?

上述技術方案具有如下有益效果：該氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態，使得電路的穩定性得到提升，同時客戶在使用時不需要刻意的區分輸入端和輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產中因為輸入輸出端焊接錯誤導致不良品的產生。同時這種設計盡?可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時，高溫對電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實際使用過程中會壞掉的風險，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于2G-3G的網絡。?

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發明的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。?

附圖說明

圖1為本發明實施例的結構示意圖。?

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。?

如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片包括一5*5*1MM的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導層，氮化鋁基板1的正面印刷有導線2及電阻R1、R2、R3，電阻R1、R2、R3通過導線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導層電連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿氮化鋁基板的中心線對稱，衰減電路的輸出端與一焊盤5連接，輸入端與一焊盤6連接，兩個焊盤5、6沿氮化鋁基板的中心線對稱。電阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保護膜3，導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，這樣可對導線2及電阻R1、R2、R3形成保護。所有工藝基于先進的厚膜工藝生產。?