[發明專利]氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片無效
| 申請號： | 201110264884.8 | 申請日： | 2011-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN102361124A | 公開（公告）日： | 2012-02-22 |
| 發明（設計）人： | 郝敏 | 申請（專利權）人： | 蘇州市新誠氏電子有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/22 | 分類號： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 陶瓷 30 db 衰減 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片，其特征在于：其包括一5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及電阻，所述導線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。
2.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片，其特征在于：所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
3.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片，其特征在于：所述導線及玻璃保護膜的上表面還印刷有一層黑色保護膜。
4.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片，其特征在于：所述衰減電路采用T型電路結構。
5.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦3dB衰減片，其特征在于：所述銀漿導線與所述導體層通過接地銀漿連接。
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