[發明專利]一種發射極上黑硅結構的太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201110263591.8
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN102306664A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 夏洋;劉邦武;沈澤南;李超波;劉杰;李勇滔
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種發射極上黑硅結構的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括金屬柵線電極、鈍化層、發射極、黑硅層、硅襯底和金屬背電極；所述金屬背電極位于所述硅襯底的背面，所述發射極位于所述硅襯底上，所述黑硅層位于所述發射極上，所述鈍化層位于所述黑硅層上，所述金屬柵線電極位于所述鈍化層上。

2.如權利要求1所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底為p型單晶硅或多晶硅；所述發射極的摻雜類型為n型，所述發射極的結深為400-700nm。

3.如權利要求1所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底為n型單晶硅或多晶硅；所述發射極的摻雜類型為p型，所述發射極的結深為400-700nm。

4.如權利要求1所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池，其特征在于，所述金屬柵線電極為Ag線、Al線或者其合金線，用于正面電極的引出；所述金屬背電極由Al、Ag或者Cu金屬制成，用于背面電極的引出。

5.如權利要求1所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池，其特征在于，所述黑硅層為多孔狀或針尖狀黑硅結構；所述多孔狀黑硅結構的孔深為100-200nm，所述針尖狀黑硅結構的針尖高度為100-200nm。

6.如權利要求1所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層為SiO₂層或者SiN_x層。

7.一種發射極上黑硅結構的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅襯底的背面制備金屬背電極；

在所述硅襯底表面制備發射極；

在所述發射極上制備黑硅層；

在所述黑硅層上制備鈍化層；

在所述鈍化層制備金屬柵線電極；

燒結所述硅襯底。

8.如權利要求7所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在硅襯底的背面制備金屬背電極的步驟具體為：在硅襯底的背面通過絲網印刷制備金屬背電極。

9.如權利要求7所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述鈍化層制備金屬柵線電極的步驟具體為：在所述鈍化層通過絲網印刷制備金屬柵線電極。

10.如權利要求7所述的發射極上黑硅結構的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述黑硅層上制備鈍化層的步驟具體為：在所述黑硅層通過高溫熱氧化或者PECVD沉積生長方式制備鈍化層。