[發明專利]中頻磁控濺射鍍膜裝置

無效

• 申請號: 201110262076.8
• 申請日: 2011-09-06
• 公開（公告）號: CN102978577A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 張新倍;黃登聰;彭立全
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種中頻磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術

物理氣相沉積(Physical?Vapor?Deposition，PVD)鍍膜過程中，需向鍍膜裝置的鍍膜室內通入濺射氣體(如氬氣)，有時還需向鍍膜室內通入反應氣體(如氮氣，甲烷等)，以使反應氣體與被濺射出來的靶材原子反應生成化合物沉積于基材上。為了獲得特定顏色(如極度黑色，極度白色)等，通入鍍膜室的反應氣體的量往往很大，超出正常反應所需要的量。此時由于反應氣體的量較大，會在靶材表面反應生成化合物，影響靶材的正常濺射，造成靶材濺射率大幅下降，這就是靶材的“中毒”。針對靶材“中毒”現象，通常做法是在下一次鍍膜之前，對靶材進行“洗靶”，也就是在真空狀態下，通入氬氣將靶材表面的化合物濺射掉。

對于中頻磁控濺射鍍膜裝置，靶材必須為對靶設置，當靶材電源開啟后兩個靶材互為陰陽極。請參閱圖1，現有的中頻磁控濺射鍍膜裝置200包括一鍍膜室201，該鍍膜室內設置有相對設置的二靶材203，所述靶材203為圓柱靶。二靶材203靠近鍍膜室201腔壁的一側分別設置有一第一擋板205，二靶材203遠離鍍膜室201腔壁的一側分別設置有一第二擋板207，第一擋板205為固定的，第二擋板207為可移動的。關閉二第二擋板207，所述每一靶材203就被封閉于第一擋板205和第二擋板207圍成的空間內。

洗靶時，需先關閉鍍膜室201并對鍍膜室201進行抽真空，此時鍍膜室201內未放置有基材(未圖示)；達到一定的真空度后，向鍍膜室201通入氬氣并開啟二靶材203的電源，此時二靶材203的第二擋板207必須打開以使二靶材203的電源能導通互為陰陽極，氬氣等離子體轟擊二靶材203，使二靶材203表面的物質被濺射掉，達到洗靶的目的；洗靶完成后，打開鍍膜室201并將基材放入鍍膜室201，再對鍍膜室201進行抽真空以及鍍膜。如此，洗靶與鍍膜不能同爐完成，需對鍍膜室201進行兩次抽真空，大幅降低了生產效率。

發明內容

有鑒于此，提供一種洗靶與鍍膜能同爐完成的中頻磁控濺射鍍膜裝置。

一種中頻磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架及設置于反應室腔壁與轉架之間的至少一對靶材，每對靶材于反應室內均相應配置有一內襯板及至少一外擋板，該內襯板鄰近反應室的部分腔壁設置，該至少一外擋板為可移動的，當該至少一外擋板移動至靶材與轉架之間時，所述一對靶材容置于該至少一外擋板和該內襯板所形成的空間內，以防止靶材原子于洗靶時濺射至轉架上。

一種中頻磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應室、位于反應室中央的一轉架，該中頻磁控濺射鍍膜裝置還包括一內襯板及至少一外擋板，該內襯板鄰近反應室的部分腔壁設置，該至少一外擋板可移動地設置于反應室內，當每一外擋板移動至靠近所述轉架時，該至少一外擋板與內襯板之間對應形成一容納空間，用以容納一對靶材防止靶材原子于洗靶時濺射至轉架上。

本發明中頻磁控濺射鍍膜裝置通過設置內襯板及與內襯板相配合設置的可移動的外擋板，使洗靶與真空鍍膜能同爐完成，大幅提高了生產效率。

附圖說明

圖1為現有的鍍膜裝置的中頻磁控濺射鍍膜裝置的剖面示意圖；

圖2為本發明第一較佳實施例的中頻磁控濺射鍍膜裝置的剖面示意圖；

圖3為本發明第一較佳實施例的中頻磁控濺射鍍膜裝置的另一狀態的剖面示意圖；

圖4為本發明第二較佳實施例的中頻磁控濺射鍍膜裝置的剖面示意圖；

圖5為本發明第二較佳實施例的中頻磁控濺射鍍膜裝置的另一狀態的剖面示意圖。

主要元件符號說明