[發(fā)明專利]中頻磁控濺射鍍膜裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110262076.8
• 申請(qǐng)日: 2011-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN102978577A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新倍;黃登聰;彭立全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種中頻磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室、位于反應(yīng)室中央的一轉(zhuǎn)架及設(shè)置于反應(yīng)室腔壁與轉(zhuǎn)架之間的至少一對(duì)靶材，其特征在于：每對(duì)靶材于反應(yīng)室內(nèi)均相應(yīng)配置有一內(nèi)襯板及至少一外擋板，該內(nèi)襯板鄰近反應(yīng)室的部分腔壁設(shè)置，該至少一外擋板為可移動(dòng)的，當(dāng)該至少一外擋板移動(dòng)至靶材與轉(zhuǎn)架之間時(shí)，所述一對(duì)靶材容置于該至少一外擋板和該內(nèi)襯板所形成的空間內(nèi)，以防止靶材原子于洗靶時(shí)濺射至轉(zhuǎn)架上。

2.如權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述靶材為圓柱靶。

3.如權(quán)利要求2所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述至少一外擋板包括有二外擋板，每一外擋板鄰近每對(duì)靶材中的一靶材的周緣設(shè)置且可繞靶材的周緣方向移動(dòng)，且每一外擋板包括一主體部及與主體部的一端一體延伸的一連接部。

4.如權(quán)利要求3所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：該主體部為拱形，主體部的截面為半圓弧，且主體部的截面與靶材的截面同圓心，并且主體部截面的弧長(zhǎng)大于所述靶材截面的半圓弧長(zhǎng)。

5.如權(quán)利要求3所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：該連接部為平板狀，當(dāng)該二外擋板移動(dòng)至靶材與轉(zhuǎn)架之間時(shí)，二外擋板的二連接部接合于一起。

6.如權(quán)利要求5所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述內(nèi)襯板的沿著腔壁周向方向的二端部連線的長(zhǎng)度不小于二外擋板對(duì)應(yīng)接合時(shí)該二外擋板的二端部連線的長(zhǎng)度。

7.如權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述至少一外擋板包括一外擋板，該外擋板包括一主體板和分別連接于主體板兩端的二側(cè)板，每一側(cè)板呈拱形。

8.如權(quán)利要求1所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述內(nèi)襯板和外擋板的縱向高度均等于或大于所述靶材的縱向高度。

9.一種中頻磁控濺射鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室、位于反應(yīng)室中央的一轉(zhuǎn)架，其特征在于：該中頻磁控濺射鍍膜裝置還包括一內(nèi)襯板及至少一外擋板，該內(nèi)襯板鄰近反應(yīng)室的部分腔壁設(shè)置，該至少一外擋板可移動(dòng)地設(shè)置于反應(yīng)室內(nèi)，當(dāng)每一外擋板移動(dòng)至靠近所述轉(zhuǎn)架時(shí)，該至少一外擋板與內(nèi)襯板之間對(duì)應(yīng)形成一容納空間，用以容納一對(duì)靶材防止靶材原子于洗靶時(shí)濺射至轉(zhuǎn)架上。

10.如權(quán)利要求9所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述至少一外擋板包括有二外擋板，每一外擋板鄰近一靶材的周緣設(shè)置且可繞靶材的周緣方向移動(dòng)，每一外擋板包括一主體部及與主體部的一端一體延伸的一連接部，該主體部為拱形，該連接部為平板狀，當(dāng)每一外擋板移動(dòng)至靠近所述轉(zhuǎn)架時(shí)，每對(duì)靶材的二外擋板的二連接部為對(duì)應(yīng)接合于一起，以隔離所述一對(duì)靶材與轉(zhuǎn)架。

11.如權(quán)利要求10所述的中頻磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述內(nèi)襯板沿著腔壁周向方向的二端部連線的長(zhǎng)度不小于二外擋板對(duì)應(yīng)接合時(shí)該二外擋板的二端部連線的長(zhǎng)度。