[發明專利]晶片封裝體

有效

• 申請號: 201110261112.9
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102386156A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 洪子翔;邱新智;許傳進;林佳昇;何彥仕;梁裕民
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485;H01L27/146
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體，特別是有關于光電元件晶片封裝體。

背景技術

光感測元件或發光元件等光電元件在擷取影像或照明的應用中扮演著重要的角色，這些光電元件均已廣泛地應用于例如數字相機(digital?camera)、數字攝像機(digital?Video?recorder)、移動電話(mobile?phone)、太陽能電池、熒幕、照明設備等電子元件中。

隨著科技的演進，對于光感測元件的感測精準度或發光元件的發光精準度的需求亦隨之提高。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光電元件，設置于該第一表面處；一保護層，設置于該基底的該第二表面上，該保護層具有一開口；一導電凸塊，設置于該基底的該第二表面上，且填充于該開口之中；一導電層，設置于該保護層與該基底之間，該導電層電性連接該光電元件及該導電凸塊；以及一遮光層，設置于該保護層之上，該遮光層不接觸該導電凸塊。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一穿基底導電結構，該穿基底導電結構包括：一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸；以及一絕緣層，形成于該穿孔的側壁上，且延伸至該基底的該第二表面上；其中，該導電層延伸至該穿孔中的該絕緣層之上。

本發明所述的晶片封裝體，該穿孔的口徑沿著自該第二表面朝該第一表面的方向遞增。

本發明所述的晶片封裝體，至少部分的該穿孔不被該遮光層覆蓋。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層完全不覆蓋該穿孔。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一導電墊，形成于該基底之中，該導電墊電性連接該光電元件及該導電層。

本發明所述的晶片封裝體，該穿孔露出該導電墊。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層覆蓋部分的該導電墊。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層完全不覆蓋該導電墊。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一第二穿基底導電結構，其中該遮光層包括一凸出部，該凸出部位于該穿基底導電結構與該第二穿基底導電結構之間。

本發明所述的晶片封裝體，該光電元件包括一影像感測元件或一發光元件。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層與該導電凸塊之間間隔有一間距，該間距為該導電凸塊的寬度的5％至8％之間。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一微透鏡陣列，設置于該光電元件之上。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層包括一金屬材料、一高分子材料或前述的組合。

本發明所述的晶片封裝體，該導電凸塊包括一焊球。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層的最接近該保護層的該開口的一側端不與該開口的側壁共平面。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層覆蓋該光電元件。

本發明所述的晶片封裝體，該保護層的該開口之中不具有該遮光層。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層不直接接觸該導電層。

本發明所述的晶片封裝體，該穿孔位于該基底的邊緣區。

本發明的晶片封裝體通過遮光層而阻擋及/或吸收外界的光線，使晶片封裝體的運作更為順利，且本發明的晶片封裝體的遮光層不與導電凸塊接觸，可進一步提高良率，避免短路的情形的發生。

附圖說明

圖1A至圖1C顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。

圖2顯示本發明一實施例中的晶片封裝體的剖面圖。

圖3顯示本發明一實施例中的晶片封裝體的剖面圖。

圖4A至圖4D顯示根據本發明多個實施例的晶片封裝體于基底的表面的俯視圖。

附圖中符號的簡單說明如下：

100：基底??????????????102：光電元件

102a：微透鏡陣列???????104：導電墊

106：穿孔??????????????108：色緣層

110：導電層????????????112：保護層

113：開口??????????????113a：側壁

114：遮光層????????????114’：投影

114a：凸出部???????????115：側端

116：導電凸塊??????????d：間距

W：寬度。

具體實施方式