[發明專利]電極引入裝置有效
| 申請號: | 201110261064.3 | 申請日: | 2011-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN102321877A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 鄭建宇;宋曉彬;王廣明;桂曉波;楊光;唐亞非 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 韓國勝;王瑩 |
| 地址: | 100016 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 引入 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及等離子體增強化學氣相沉積設備,特別是涉及一種電極引入裝置。
背景技術
四管臥式等離子體增強化學氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,PECVD)設備的功能是,在高真空石英腔體內利用高頻電場激發,分解工藝氣體SiH4、NH3,在樣品表面的沉積形成Si3N4薄膜。淀積Si3N4時,不光是生長Si3N4作為減反射膜,同時生成了大量的氫原子,這些氫原子不但具有表面鈍化作用,同時可以很好的鈍化硅中的位錯、表面懸掛鍵,從而提高硅片中載流子遷移率,具有體鈍化的作用,極大的提高電池片轉換效率。該設備自動化程度高,是太陽能電池生產線上最關鍵的設備之一。
四管臥式PECVD中,電極引入是設備的關鍵部件。電極引入直接影響設備工藝的穩定性和可靠性。傳統使用的電極引入裝置,采用搭接形式,將爐門的電極觸頭硬連接到絕緣板上的觸頭座,金屬材質的電極觸頭靠石墨舟的自重和觸頭座緊密接觸,完成電極連接;取舟時,只需把石墨舟輕輕抬起,電極觸頭即和觸頭座自行脫開。這種電極連接方式只適用于手動放舟,不適用于機械手自動取舟,不能滿足大規模化生產的要求。
并且,四管臥式PECVD中,懸臂爐門是設備的送料出料裝置,是保證工藝的最重要的結構之一,傳統使用的懸臂爐門結構,是雙桿鏟子的機構,石墨舟落在金屬鏟子上,金屬鏟子隨著石墨舟共同進入反應室進行薄膜淀積,由于沉積工藝溫度較高,不銹鋼鏟子長時間在反應室中加熱,容易變形,而且金屬鏟子比較重,結構較復雜,加工難度大,不銹鋼鏟子的變形直接影響到設備內部所引入電極接觸的穩定性。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是如何實現四管臥式PECVD中電極引入裝置與機械手自動取放石墨舟之間的配合一致性,并且提高電極接觸的穩定性。
(二)技術方案
為了解決上述技術問題,本發明提供一種電極引入裝置,其包括:兩個并列設置的電極支架;每個電極支架的一端與一個爐門電極相連,另一端為金屬觸頭,與石墨舟上的電極塊相連。
其中,所述電極塊有兩塊,分別位于石墨舟兩側,且每塊電極塊上具有凹槽。
其中,所述每個金屬觸頭上,與電極塊凹槽相接觸的位置設置有凸起。
其中,所述凹槽凹陷的方向與所述凸起凸出的方向相同。
其中,所述石墨舟放置在石墨舟支撐桿上,所述石墨舟支撐桿與爐門內側相連,且所述石墨舟支撐桿為至少兩根并列的碳化硅棒。
其中,并列的碳化硅棒端部設置有金屬連接塊,以將碳化硅棒固定連接。
其中,所述碳化硅棒上設置有至少兩個支撐架,用以支撐石墨舟。
其中,所述支撐架為金屬支撐架,其上與石墨舟接觸的位置設置有絕緣板;所述支撐架至少一側的碳化硅棒上套設有絕緣套。
其中,兩個所述電極支架由絕緣模塊將其與周圍導電部件隔離開。
其中,所述電極塊采用石墨墊塊。
(三)有益效果
上述技術方案所提供的電極引入裝置,一方面,采用搭接形式,依托電極支架將金屬觸頭直接和爐門電極連接起來,石墨舟上的兩個石墨墊塊充當兩電極塊,每個金屬觸頭上,與電極塊上凹槽相接觸的位置設置有凸起。放舟時,機械手將石墨舟輕輕落下,金屬觸頭與石墨舟的兩個電極塊緊密接觸,完成電極連接;取舟時,只需把石墨舟輕輕抬起,金屬觸頭和石墨舟電極塊自行脫開,結構簡單合理、經濟,增加了自動化程度,并且滿足規模化生產的要求;另一方面,使用單桿夾持碳化硅雙棒結構,石墨舟落到雙棒上,依靠石墨舟支撐架定位,依靠陶瓷板絕緣,由于碳化硅雙棒耐溫在1000多度,在PECVD反應室進行薄膜淀積時,變形很小;并且單桿夾持碳化硅雙棒結構,機械機構簡單,成本低,裝配難度降低,整體懸臂的質量輕,能夠防止懸臂的變形量,提高了電極接觸的穩定性,避免因懸臂變形而引起電極接觸斷開。
附圖說明
圖1是本發明實施例中支撐石墨舟的懸臂爐門的結構示意圖;
圖2是本發明實施例中電極引入裝置的結構示意圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京七星華創電子股份有限公司,未經北京七星華創電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110261064.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





