[發明專利]一種肖特基源漏雙柵結構MOSFET閾值電壓解析模型

有效

• 申請號: 201110260259.6
• 申請日: 2011-09-05
• 公開（公告）號: CN102270263A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 李佩成;梅光輝;胡光喜;倪亞路;劉冉
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種肖特基源漏雙柵結構MOSFET閾值電壓解析模型，其特征在于該閾值電壓解析模型的表達式為：

其中，V_FBF、V_FBB分別為上、下柵的平帶電壓；N_A為硅的摻雜濃度；參數r=?C_box?/?C_fox，其中C_fox、C_box分別為上、下柵氧化層單位面積電容；?C_si為體硅單位面積的電容，?C_si=ε_si?/?t_si?,?其中ε_si為硅的相對介電常數，?t_si為硅體薄膜厚度；?q為電子電量；V_GSB為下柵極所加電壓；

G?表示為：

其中，L?為溝道長度；特征長度，其中，C_ox=C_fox(1+r)+rC2?fox/C_si；?

式中，?

Φ_Beff=Φ_MS+(Δ₁–Δ₂)/q

其中Φ_MS為肖特基勢壘高度；Δ₁=π²?²/(2m*?nt2?si)，m*?n為電子的有效質量，其值為0.22m₀，m₀為自由電子的質量，，h為普朗克常數，Δ₁由量子效應引起；Δ₂?=?，E為金屬源漏與硅界面處電場強度；ε₀為真空介電常數；參數α設為1，y_m?為溝道表面勢最高點所對應的位置，

其中，V_DS?為漏極電壓；V_SL表示為：

其中，V_GSF為上柵極所加電壓。

2.根據權利要求1所述的肖特基源漏雙柵結構MOSFET閾值電壓解析模型，其特征在于該閾值電壓解析模型的表達式為：

?????????????(14)

G?為如下形式：

????????????(15)?。