[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110259974.8
• 申請(qǐng)日: 2011-09-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102983162A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱建文;陳永初;吳錫垣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

一第一摻雜區(qū)，具有一第一導(dǎo)電型；

一第二摻雜區(qū)，具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型并鄰近該第一摻雜區(qū)；

一介電結(jié)構(gòu)，包括互相分開(kāi)的一第一介電部分與一第二介電部分，其中該介電結(jié)構(gòu)形成于該第一摻雜區(qū)上；以及

一柵極結(jié)構(gòu)，位于該第一摻雜區(qū)或該第二摻雜區(qū)鄰近該第一介電部分的一部分上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括一第一摻雜層，具有該第二導(dǎo)電型，其中該第一摻雜層位于該第一介電部分與該第二介電部分之間的該第一摻雜區(qū)上，該第一摻雜區(qū)包括一第二摻雜層，具有該第一導(dǎo)電型并位于該第一摻雜層下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該介電結(jié)構(gòu)更包括至少一第三介電部分，位于該第一介電部分與該第二介電部分之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括一第三摻雜區(qū)，具有該第一導(dǎo)電型，其中該柵極結(jié)構(gòu)位于該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該第二摻雜區(qū)上，一第一電極電性連接至該第一摻雜區(qū)，一第二電極電性連接至該第三摻雜區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一電極是漏極電極，該第二電極是源極電極，該半導(dǎo)體裝置為L(zhǎng)DMOS。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括一第四摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電型，其中該第二摻雜區(qū)與該第四摻雜區(qū)分別位于該介電結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)邊上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中一第一電極電性連接至該第二摻雜區(qū)，一第二電極電性連接至該第四摻雜區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一電極是射極電極，該第二電極是集極電極，該半導(dǎo)體裝置為橫向絕緣柵雙極性晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置為橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體或絕緣柵雙極性晶體管。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

于一第一摻雜區(qū)中形成一第二摻雜區(qū)，該第一摻雜區(qū)具有一第一導(dǎo)電型，該第二摻雜區(qū)具有相反于該第一導(dǎo)電型的一第二導(dǎo)電型；

形成一介電結(jié)構(gòu)于該第一摻雜區(qū)上，其中該介電結(jié)構(gòu)包括互相分開(kāi)的一第一介電部分與一第二介電部分；以及

形成一柵極結(jié)構(gòu)于該第一摻雜區(qū)或該第二摻雜區(qū)鄰近該第一介電部分的一部分上。