[發明專利]具有基板通孔(TSV)的基板中的對準標記

有效

• 申請號: 201110258788.2
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102386168A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 章鑫;蔡方文;林俊成;邱文智;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/538;H01L21/68;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

技術領域

本發明涉及一種器件，具體的說，本發明涉及一種具有基板通孔的基板中的對準標記。

背景技術

為了形成三維(3D)集成電路結構，使用基板通孔(TSVs)將晶片的正面部件電連接到背面部件。例如，在正面上，可能有互連結構和金屬凸塊。在背面上，可能有金屬凸塊和再分配線。為了準確地互相對準正面部件和背面部件，需要實施雙面對準。

一般，首先在晶片上形成正面部件，然后通過背面研磨以減薄晶片中的硅基板直到暴露出TSVs。將正面對準標記合并到正面部件中。為了定位正面對準標記，使用紅外線(IR)對準系統從背面實施雙面對準，其中IR對準系統發射的紅外光穿透減薄了的硅基板，以到達正面對準標記。然后通過蝕刻到背面層和硅基板中，在晶片的背面制作背面對準標記。

由于IR對準系統的局限，以及進一步由于研磨了的硅基板的厚度變化，雙面對準的準確度低，并且失準(軸心差misalignment)可高達約2μm。

發明內容

針對現有技術，本發明提供了一種器件，包括：基板；以及第一對準標記，所述第一對準標記包括穿透所述基板的第一導電基板通孔(TSV)。根據本發明所述的器件，其特征在于，所述第一對準標記包括多個穿透所述基板的第一導電TSV。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述多個第一導電TSV排列在矩形區域中。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述多個第一導電TSV對準成相互交叉的兩條線。

根據本發明所述的器件，其特征在于，進一步包括在所述基板的背面上方的導電部件，其中所述導電部件非電連接到所述第一導電TSV。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述第一導電TSV是電浮置的。

根據本發明所述的器件，其特征在于，進一步包括在所述基板的背面上的介電層，并且其中所述第一導電TSV穿透所述介電層。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述基板為半導體基板，并且其中沒有有源器件形成在所述半導體基板的相反表面上。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述基板為半導體基板，并且其中在所述半導體基板的正面上形成有源器件。

根據本發明所述的器件，其特征在于，進一步包括在所述基板的正面上的第二對準標記，其中所述第二對準標記包括金屬層。

根據本發明所述的器件，其特征在于，進一步包括第二導電TSV，所述第二導電TSV穿透所述基板并且為非電浮置的。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述第一導電TSV和所述第二導電TSV具有基本相同的高度。

根據本發明所述的器件，其特征在于，所述第一導電TSV和所述第二導電TSV具有基本相同的頂視形狀。

根據本發明所述的器件，其特征在于，進一步包括位于所述基板的背面上并且與所述第二導電TSV電連接的導電部件，其中所述導電部件包括再分配線和金屬凸塊中的至少一種。

一種形成器件的方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板中形成第一導電基板通孔(TSV)和第二導電基板通孔(TSV)；以及在所述基板的背面上形成導電部件并且所述導電部件通過使用所述第一導電TSV作為對準標記與所述第二導電TSV電連接。根據本發明所述的方法，其特征在于，所述導電部件包括再分配線和金屬凸塊中的至少一種。

根據本發明所述的方法，其特征在于，所述導電部件非電連接到所述第一導電TSV。

根據本發明所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述基板的正面上形成附加的對準標記。

根據本發明所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述基板的正面上形成互連結構，其中所述互連結構非電連接到所述第一導電TSV。

通過本發明的方法和器件，基板上的基板通孔對準的準確度高。

附圖說明

為了更好地理解實施例及其優點，現在將結合附圖所進行的以下描述作為參考，其中：

圖1到圖7為根據實施例的制造和使用對準標記的中間階段的橫截面圖；

圖8示出了正面對準標記的頂視圖；

圖9A到圖9G示出了由基板通孔(TSVs)形成的各種對準標記；

圖10示出了用于形成TSVs的光刻掩模；以及

圖11A到圖11D示出了由溝槽型TSVs形成的各種對準標記。

具體實施方式