[發明專利]具有基板通孔(TSV)的基板中的對準標記有效
| 申請號： | 201110258788.2 | 申請日： | 2011-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN102386168A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 章鑫;蔡方文;林俊成;邱文智;鄭心圃 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L23/538;H01L21/68;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 基板通孔 tsv 中的 對準 標記 | ||
1.一種器件，包括：
基板；以及
第一對準標記，所述第一對準標記包括穿透所述基板的第一導電基板通孔(TSV)。
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一對準標記包括多個穿透所述基板的第一導電TSV。
3.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，所述多個第一導電TSV排列在矩形區域中。
4.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，所述多個第一導電TSV對準成相互交叉的兩條線。
5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，進一步包括在所述基板的背面上方的導電部件，其中所述導電部件不與所述第一導電TSV電連接。
6.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一導電TSV是電浮置的。
7.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，進一步包括在所述基板的背面上的介電層，并且其中所述第一導電TSV穿透所述介電層。
8.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板為半導體基板，并且其中沒有有源器件形成在所述半導體基板的相反表面上。
9.一種形成器件的方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板中形成第一導電基板通孔(TSV)和第二導電基板通孔(TSV)；以及
在所述基板的背面上形成導電部件并且所述導電部件通過使用所述第一導電TSV作為對準標記與所述第二導電TSV電連接。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述基板的正面上形成互連結構，其中所述互連結構不與所述第一導電TSV電連接。
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