[發明專利]制膜方法

有效

• 申請號: 201110258782.5
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102400134A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 新田安隆;伊藤朋和
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: C23C24/04
• 分類號: C23C24/04;B05C19/04
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

技術領域

本發明涉及在對象物上噴涂從噴嘴噴射出來的超微粒材料從而在對象物上形成膜的制膜方法。

背景技術

如上所述那樣，使用由陶瓷材料或金屬材料形成的粒徑100μm以下的超微粒，用惰性氣體等將該超微粒氣溶膠化而制成超微粒材料，將該超微粒材料噴射到對象物上來制膜的技術，作為氣溶膠沉積法而廣為人知(例如參照下述專利文獻1)。下述專利文獻1中記載的制膜方法是能夠制造膜內的超微粒的接合充分、組織致密、表面平滑、密度均勻的膜的制膜方法。具體而言，是相對于構成對象物的平面傾斜地噴射超微粒材料的制膜方法。如此傾斜地噴射超微粒材料，能形成優質的膜。

下述專利文獻1中記載的制膜方法，在構成對象物的面僅為平面的情況下是極其有效的技術，但在構成對象物的面包含彎曲面的情況下，還需要進一步改進。具體而言，要想方設法使超微粒材料的噴射角即使在彎曲面上也保持一定角度，例如有人提出了下述專利文獻2中記載的技術。

下述專利文獻2中記載的制膜方法是在構成圓筒形對象物的彎曲面上制膜的方法，其一邊使圓筒形對象物圍繞該圓筒形狀的中心軸轉動，一邊在圓筒形外周即彎曲面上噴涂超微粒材料。更具體而言，通過一邊使圓筒形對象物轉動一邊噴涂超微粒材料，使在圓筒形外周的彎曲面上反射的超微粒材料中的超微粒二次碰撞，從而形成均勻的膜。

另外，作為在對象物的外周的一部分形成了彎曲面的情況下的制膜方法之一，有人提出了下述專利文獻3中記載的制膜方法。下述專利文獻3中記載的制膜方法通過使用專用噴嘴在彎曲面上生成密度高的膜，該專用噴嘴具有與在對象物外周的一部分形成的彎曲面的寬度相同的開口。

專利文獻1：特開2002-20878號公報

專利文獻2：特開2008-7804號公報

專利文獻3：特開2008-240068號公報

發明內容

用氣溶膠沉積法來制膜，如上述專利文獻1中所公開的那樣，相對于成為制膜對象的面，在保持一定的角度的同時傾斜地噴射超微粒材料，是形成密度高的優質膜的必要條件。上述專利文獻2中記載的制膜方法，以對象物是圓筒形為前提，用于噴射超微粒材料的噴嘴的位置固定，一邊使對象物轉動一邊噴涂超微粒材料。該制膜方法確實在對象物為圓筒形的情況下比較容易實現，但是例如像將長方體形狀的各棱邊倒角后那樣、對象物的一部分由彎曲面形成而其余部分由平面形成的情況下，很難生成致密且優質的膜。

當對象物的一部分由彎曲面形成而其余部分由平面形成時，若要采用上述專利文獻2中記載的制膜方法，為了僅在彎曲面上噴涂超微粒材料，需要使對象物或噴嘴轉動以使僅彎曲面與噴嘴正對。這必須要實現極小范圍內的轉動動作，但是這個很難實現。此外，彎曲面的曲率半徑越小，必須使轉動動作的速度越快，因此更加難以實現。

另一方面，若要采用上述專利文獻3中記載的制膜方法，雖然不會產生上述轉動動作的技術問題，但必須使用僅用于在彎曲面上制膜的專用噴嘴。為此，需要交換用于平面上制膜的噴嘴和用于彎曲面上制膜的噴嘴，還需要構筑用于并用這兩個噴嘴的特別機構，因此從煩雜的作業性和機構的復雜性的觀點出發，其很難實現。此外，若采用上述專利文獻3中記載的制膜方法，由于不是連續地在平面和彎曲面上進行制膜，因此平面上形成的膜與彎曲面上形成的膜的接合部分不是一體的，在該接合部分膜的質量可能會下降。

本發明鑒于上述技術問題而完成，其目的在于提供用簡單的方法即可形成連續的優質膜的制膜方法，其通過在具備第一平面和與該第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、連接上述第一平面和上述第二平面的彎曲面的對象物上，噴涂從噴嘴噴射出來的超微粒材料的同時，連續地改變其噴涂位置，從而生成連續地覆蓋上述第一平面和上述第二平面和上述彎曲面的膜。

為了解決上述技術問題，本發明的制膜方法通過在具備第一平面和與該第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、連接上述第一平面和上述第二平面的彎曲面的對象物上，噴涂從噴嘴噴射出來的超微粒材料的同時，連續地改變其噴涂位置，從而生成連續地覆蓋上述第一平面和上述第二平面和上述彎曲面的膜，其具備第一配置工序和第一制膜工序、第二配置工序、第二制膜工序。

在第一配置工序中，以如下方式，與所述第一平面對置地配置所述噴嘴：沿著所述超微粒材料的噴射方向的噴射直線與所述第一平面所成的角度在30度到60度的范圍內，并且，當所述噴嘴位于所述噴射直線到達所述第一平面與所述彎曲面的邊界即第一邊界線的位置時，在所述第一平面上投影所述噴射直線得到的第一假想線與所述第一邊界線所成的角度在0度到60度的范圍內。