[發明專利]制膜方法

有效

• 申請號: 201110258782.5
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102400134A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 新田安隆;伊藤朋和
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: C23C24/04
• 分類號: C23C24/04;B05C19/04
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

1.一種制膜方法，其通過在具備第一平面和與該第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、連接所述第一平面和所述第二平面的彎曲面的對象物上，噴涂從噴嘴噴射出來的超微粒材料的同時，連續地改變其噴涂位置，從而生成連續地覆蓋所述第一平面和所述第二平面和所述彎曲面的膜，其特征在于，具備：

第一配置工序，即以如下方式來配置所述噴嘴：沿著所述超微粒材料的噴射方向的噴射直線與所述第一平面所成的角度在30度到60度的范圍內，并且，當所述噴嘴位于所述噴射直線到達所述第一平面與所述彎曲面的邊界即第一邊界線的位置時，在所述第一平面上投影所述噴射直線得到的第一假想線與所述第一邊界線所成的角度在0度到60度的范圍內；

第一制膜工序，即一邊從所述噴嘴噴射所述超微粒材料，一邊在保持所述噴嘴與所述第一平面的距離和角度的同時，在所述第一平面和與所述第一平面相連的所述彎曲面上連續地噴涂所述超微粒材料，連續地形成覆蓋所述第一平面的膜和覆蓋所述彎曲面的至少一部分的膜；

第二配置工序，即以如下方式來配置所述噴嘴：沿著所述超微粒材料的噴射方向的噴射直線與所述第二平面所成的角度在30度到60度的范圍內，并且，當所述噴嘴位于所述噴射直線到達所述第二平面與所述彎曲面的邊界即第二邊界線的位置時，在所述第二平面上投影所述噴射直線得到的第二假想線與所述第二邊界線所成的角度在0度到60度的范圍內；以及

第二制膜工序，即一邊從所述噴嘴噴射所述超微粒材料，一邊在保持所述噴嘴與所述第二平面的距離和角度的同時，在所述第二平面和與所述第二平面相連的所述彎曲面上連續地噴涂所述超微粒材料，連續地形成覆蓋所述第二平面的膜和進一步覆蓋在所述第一制膜工序中形成于所述彎曲面的膜的膜。

2.根據權利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一配置工序中，以如下方式來配置所述噴嘴和所述對象物，即所述噴射直線與所述第一平面所成的角度大于所述第一假想線與所述第一邊界線所成的角度。

3.根據權利要求2所述的制膜方法，其特征在于，在所述第二配置工序中，以如下方式來配置所述噴嘴和所述對象物，即所述噴射直線與所述第二平面所成的角度大于所述第二假想線與所述第二邊界線所成的角度，且所述第二假想線與所述第二邊界線所成的角度大于所述第一配置工序中所述第一假想線與所述第一邊界線所成的角度。

4.根據權利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一配置工序中，以所述噴射直線與所述第二平面所成的角度為60度以下的方式，來配置所述噴嘴和所述對象物。

5.根據權利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一制膜工序和所述第二制膜工序中，從所述噴嘴噴射出來的所述超微粒材料，與所述超微粒材料的噴涂位置沿所述彎曲面改變的方向相比，在所述超微粒材料的噴涂位置向所述彎曲面改變的方向上更廣地被噴涂。

6.根據權利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一制膜工序中，所述噴嘴固定，而使所述對象物沿所述第一平面移動，從而改變所述超微粒材料的噴涂位置，

在所述第二制膜工序中，所述噴嘴固定，而使所述對象物沿所述第二平面移動，從而改變所述超微粒材料的噴涂位置。