[發明專利]提高隔離氧化物CMP均勻性的方法

有效

• 申請號: 201110257855.9
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102969238A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 王桂磊;楊濤;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/762
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種提高隔離氧化物CMP均勻性的方法，包括：

在襯底上形成墊層，在墊層上以及襯底中形成隔離氧化物層；

在隔離氧化物層上形成第一蓋層，第一蓋層的頂部高度差等于或大于隔離氧化物層的頂部高度差；

在第一蓋層上形成第二蓋層，第二蓋層的頂部高度差小于第一蓋層的頂部高度差和/或隔離氧化物層的頂部高度差；

依次對第二蓋層、第一蓋層以及隔離氧化物層進行CMP處理，直至暴露墊層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，隔離氧化物層、第一蓋層、第二蓋層均采用HDPCVD方法形成。

3.如權利要求2所述的方法，其中，通過控制沉積速率和濺射速率的比值R來控制頂部高度差。

4.如權利要求3所述的方法，其中，隔離氧化物層的沉積速率和濺射速率的比值為R₀，第一蓋層沉積速率和濺射速率的比值為R₁，第二蓋層的沉積速率和濺射速率的比值為R₂，其中R₂≤R₀≤R₁。

5.如權利要求4所述的方法，其中，R₁為R₀的1.0倍至1.5倍。

6.如權利要求4所述的方法，其中，R₂為R₁的30％至80％。

7.如權利要求6所述的方法，其中，R₂為R₀的50％至100％。

8.如權利要求2所述的方法，其中，HDPCVD反應爐中通入含硅的還原劑、氧化劑、以及等離子體原料氣，含硅的還原劑包括SiH₄、TEOS，氧化劑包括O₂、N_xO、O₃，等離子體原料氣包括He、Ar。

9.如權利要求1所述的方法，其中，隔離氧化物層頂部高度差為1000～第一蓋層頂部高度差為1000～第二蓋層頂部高度差為100～

10.如權利要求1所述的方法，其中，形成第二蓋層之后，還包括對第二蓋層進行刻蝕。

11.如權利要求10所述的方法，其中，刻蝕氣體包括NF_a、SF₆、碳氟基氣體以及O₂、O₃、N_xO。

12.如權利要求10所述的方法，其中，刻蝕完成之后第二蓋層頂部高度差減少為50～

13.如權利要求1或10所述的方法，其中，形成多個第一蓋層和/或多個第二蓋層，和/或進行多次刻蝕。