[發明專利]晶體管PN結的形成方法有效
| 申請號： | 201110257410.0 | 申請日： | 2011-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN102306630A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 胡學清 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 pn 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體管PN結的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一襯底，在所述襯底的表面形成光阻層，所述光阻層包括用于形成所述PN結的溝槽；
對所述光阻層進行硬化處理，所述溝槽的寬度自上而下逐漸變窄；
以硬化處理后的所述光阻層為掩膜，對所述襯底進行離子植入，所述襯底內形成離子注入區；
去除所述光阻層；
退火處理所述離子注入區，形成所述PN結，所述PN結的縱剖面由兩側向中間逐漸變窄。
2.根據權利要求1所述的晶體管PN結的形成方法，其特征在于，在所述襯底表面形成光阻層之前，先在所述襯底的表面形成屏蔽氧化層，所述光阻層形成于所述屏蔽氧化層的表面，形成所述PN結后，去除所述屏蔽氧化層。
3.根據權利要求2所述的晶體管PN結的形成方法，其特征在于，所述屏蔽氧化層為二氧化硅層。
4.根據權利要求1所述的晶體管PN結的形成方法，其特征在于，對所述襯底進行P型離子植入。
5.根據權利要求1所述的晶體管PN結的形成方法，其特征在于，對所述光阻層進行硬化處理后，所述光阻層的表面為光滑的弧面。
6.根據權利要求1所述的晶體管PN結的形成方法，其特征在于，所述光阻層的厚度為13000埃。
7.根據權利要求1所述的晶體管PN結的形成方法，其特征在于，在溫度為180℃的條件下，采用紫外光照射的方式對所述光阻層進行硬化處理，處理的時間為60s。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
