[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201110256501.2
• 申請日: 2011-09-01
• 公開（公告）號: CN102623064A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 崔珉碩
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年1月31日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2011-0009805的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的各個實施例涉及一種半導體存儲裝置。更具體而言，某些實施例涉及一種具有多個層疊芯片的3D(三維)半導體裝置。

背景技術

為了提高半導體裝置的集成度，已開發出一種三維半導體裝置，這種三維半導體裝置具有多個層疊并封裝的芯片。由于豎直地層疊了兩個或更多個芯片，因此3D半導體裝置可以在相同的空間內實現更高的集成度。

存在各種方案來實現三維半導體裝置。這些方案的其中之一是，層疊具有相同結構的多個芯片，并利用諸如金屬線的導線將這些層疊的芯片相互耦接，使它們如單個半導體裝置來操作。

此外，近來本領域中公開了一種TSV(穿通硅通孔)型半導體裝置，其中，硅通孔穿通多個層疊的芯片而形成，使所有芯片相互電連接。由于在TSV型半導體裝置中芯片通過豎直穿過芯片的硅通孔而相互連接，故與其中各個芯片通過位于芯片周圍邊緣的鍵合線而相互電連接的半導體裝置相比，可以有效地減小封裝面積。

用于連接多個芯片的TSV的數量與半導體裝置的集成度成比例地增加。因此，伴隨著TSV數量的增加，需要用于以正常TSV來替換失效TSV的技術。這可以利用熔絲信息來實現，所述熔絲信息例如是用于儲存關于TSV是正常還是失效的信息的熔絲電路。設置于層疊芯片中的每個芯片內的熔絲電路可以幫助解決可能發生的與TSV的替換有關的問題，但這樣的電路配置可能導致不能保證芯片面積的效率。

發明內容

因此，需要一種改進的半導體裝置，其能夠將熔絲信息傳送至構成單個半導體裝置的多個芯片。

為了實現此優點并根據本發明的目的，如本發明所實施并廣義描述的，本發明的一個示例性方面可以提供一種半導體裝置，包括：傳輸控制信號發生單元，所述傳輸控制信號發生單元被配置為接收時鐘信號，并基于時鐘信號產生多個分頻時鐘信號，以從所述多個分頻時鐘信號輸出傳輸控制信號；熔絲信號傳輸單元，所述熔絲信號傳輸單元被配置為與傳輸控制信號同步地傳送熔絲信息；接收控制信號發生單元，所述接收控制信號發生單元被配置為接收時鐘信號并產生多個分頻時鐘信號，并且基于所述多個分頻時鐘信號來產生接收控制信號；以及熔絲信號接收單元，所述熔絲信號接收單元被配置為與接收控制信號同步地接收熔絲信息。

在本發明的另一示例性方面中，一種半導體裝置可以包括：時鐘分頻單元，所述時鐘分頻單元被配置為將時鐘信號分頻并產生多個分頻時鐘信號；信號傳輸模塊，所述信號傳輸模塊被配置為響應于分頻時鐘信號來傳送熔絲信息；位于主芯片中的主芯片信號接收模塊，所述主芯片信號接收模塊被配置為響應于所述多個分頻時鐘信號來接收熔絲信息，并產生穿通硅通孔(TSV)選擇信號；以及位于從芯片中的從芯片信號接收模塊，所述從芯片信號接收模塊被配置為響應于所述多個分頻時鐘信號來接收熔絲信息，并產生TSV選擇信號。

本發明的其它的目的和有益之處將在某種程度上在以下的描述中闡明，并且在某種程度上將從描述中顯然地得出，或者可以通過對本發明的實踐而習得。借助于所附權利要求中特別指出的要素和組合可以了解并獲得本發明的目的和有益之處。

應當理解的是，前述的概括性的描述以及以下的詳細描述都是示例性并僅用于解釋說明的，并非是對權利要求所限定的本發明的限制。

附圖說明

包含在說明書中并構成說明書一部分的附圖示出與本發明一致的各個實施例，并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。

圖1是示意性地說明根據本發明的一個實施例的半導體裝置的配置的框圖。

圖2是示意性地說明圖1所示的時鐘分頻單元的一個示例性實施例的配置的框圖。

圖3是示意性說明圖1所示的傳輸控制信號發生單元的一個示例性實施例的配置和操作的圖。

圖4是示意性地說明圖1所示的熔絲信號傳輸單元的一個示例性實施例的配置的框圖。

圖5是示意性地說明圖4所示的第一傳輸部的一個示例性實施例的配置的框圖。

圖6是說明圖5所示的第一預驅動器的一個示例性配置的電路圖。

圖7是說明圖5所示的輸出驅動器的一種示例性配置的電路圖。

圖8是說明圖1所示的熔絲信號接收單元的一種示例性配置的電路圖。

圖9是說明根據本發明實施例的半導體裝置的操作的時序圖。